您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS61LF51218D-7.5TQ

IS61LF51218D-7.5TQ 发布时间 时间:2025/12/28 18:30:11 查看 阅读:21

IS61LF51218D-7.5TQ 是由Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件的容量为512K x 18位,属于异步SRAM类型,适用于对数据存取速度要求较高的嵌入式系统和通信设备。这款芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了低功耗与高可靠性,适用于工业级温度范围。

参数

容量:512K x 18位
  访问时间:7.5 ns
  封装类型:TQFP
  引脚数:128
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大工作频率:约133 MHz
  数据总线宽度:18位
  访问周期时间:10 ns

特性

IS61LF51218D-7.5TQ具有出色的性能和稳定性,其主要特点包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片的访问时间仅为7.5 ns,使其能够满足高速数据处理应用的需求。此外,该芯片采用先进的CMOS工艺,有效降低了静态电流,从而减少了功耗。
  该器件具有异步接口,支持异步地址访问,适用于多种系统架构。其18位数据总线设计提供了较大的数据吞吐能力,适用于需要大量数据缓存的应用场景。
  IS61LF51218D-7.5TQ采用128引脚TQFP封装,尺寸紧凑,适合在高密度PCB设计中使用。同时,该芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在各种环境条件下稳定运行。
  此外,该SRAM芯片还具备较高的抗干扰能力,确保数据的稳定性和完整性,适用于网络设备、工业控制系统、医疗仪器等高可靠性要求的领域。

应用

IS61LF51218D-7.5TQ被广泛应用于各种高性能嵌入式系统和通信设备中。例如,它可用于路由器、交换机、工业控制器、测试仪器和医疗设备中的高速缓存或数据缓冲器。
  由于其高速访问时间和18位宽的数据总线,该芯片特别适合用于需要快速处理大量数据的应用,如图像处理、信号处理和网络数据包缓存。
  此外,该SRAM还可用于嵌入式系统的启动代码存储或临时数据存储,确保系统在高速运行时的数据稳定性与响应速度。

替代型号

CY7C1380D-7.5BZXC, IDT71V418S10PFG, IS61LF51218A-7.5TQ

IS61LF51218D-7.5TQ推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价