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IS61DDP2B21M18A-400M3L 发布时间 时间:2025/9/1 16:01:22 查看 阅读:9

IS61DDP2B21M18A-400M3L 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高性能和高可靠性的特点,适用于需要高速数据访问和数据共享的场景。IS61DDP2B21M18A-400M3L 的存储容量为256K x 18位,具有独立的双端口设计,允许两个端口同时访问存储器,适用于网络通信、工业控制、图像处理和高性能计算等领域。

参数

容量:256K x 18位
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:4.5ns
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:165-TQFP
  接口类型:异步双端口SRAM
  端口类型:独立双端口
  最大时钟频率:166MHz
  输入/输出类型:CMOS

特性

IS61DDP2B21M18A-400M3L 是一款专为高性能应用设计的双端口SRAM芯片。其核心优势在于其独立的双端口架构,允许两个端口在互不干扰的情况下同时读写数据,非常适合需要并行数据处理的应用场景,如通信设备中的数据缓冲、视频处理系统中的帧存储、工业控制中的实时数据采集等。
  该芯片采用低功耗CMOS工艺制造,在保持高速性能的同时有效降低了功耗,使其适用于对功耗敏感的应用环境。此外,其宽工作电压范围(2.3V至3.6V)提供了良好的兼容性,可适配多种电源管理系统。
  IS61DDP2B21M18A-400M3L 支持高速访问,其访问时间仅为4.5ns,能够满足对响应时间要求极高的系统需求。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种工业级环境,确保在恶劣条件下仍能稳定运行。其165-TQFP封装形式提供了良好的封装稳定性,适用于自动化生产和高密度PCB布局。
  在功能方面,该芯片支持两个独立的片选信号(CE1和CE2),每个端口均可独立控制,允许两个处理器或控制器同时访问存储器。这种设计使得IS61DDP2B21M18A-400M3L在多处理器系统、数据采集系统和嵌入式控制系统中具有广泛的应用前景。

应用

IS61DDP2B21M18A-400M3L 主要应用于需要高速双端口访问和大容量SRAM的场合。典型应用包括但不限于:网络交换设备中的数据缓存、路由器和网关中的数据包处理、图像处理系统中的帧缓冲、工业控制系统中的实时数据采集与处理、通信设备中的临时数据存储、嵌入式系统中的共享内存管理、测试与测量设备中的高速数据记录等。由于其低功耗和高可靠性,该芯片也非常适合用于车载电子系统、医疗设备和航空航天等对稳定性要求极高的行业。

替代型号

IS61DDP2B21M18A-400M3L 可以考虑的替代型号包括 IS61DDP2B21M18A-400M2L、IS61LV25618A-400BLL 和 CY7C028V-400BZC。这些型号在功能和性能上相似,但可能在封装、功耗或工作温度范围上略有差异,使用时需根据具体需求进行选型匹配。

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IS61DDP2B21M18A-400M3L参数

  • 制造商ISSI
  • 存储容量18 Mbit
  • 组织1 Mbit x 18
  • Supply Voltage - Max1.9 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作电流1250 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体FBGA-165
  • 封装Tray
  • 接口HSTL
  • 最大时钟频率400 MHz
  • 存储类型DDR-IIP
  • 工厂包装数量105