IS61C256AH-10T 时间：2025/9/1 8:52:25 阅读：9

IS61C256AH-10T是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K位（32K x 8）。该芯片采用高速CMOS工艺制造，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。IS61C256AH-10T采用44引脚TSOP封装，适用于工业级和商业级产品设计。

参数

容量：256K位（32K x 8）
　　组织方式：32K地址 x 8位数据
　　访问时间：10ns（最大）
　　工作电压：3.3V（典型）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　封装类型：44-TSOP
　　接口类型：并行异步接口
　　最大工作频率：约100MHz（取决于访问时间）

特性

IS61C256AH-10T具备高速访问能力，访问时间仅为10ns，适用于需要快速数据读写的应用，如网络设备、通信系统和嵌入式处理器系统。
　　该芯片采用低功耗CMOS工艺，在保持高速性能的同时实现较低的功耗，适用于对功耗敏感的设计。
　　其并行异步接口支持与多种微处理器和控制器直接连接，简化了系统设计和集成。
　　IS61C256AH-10T具有良好的数据保持能力，在低功耗模式下可保持数据完整性，适用于间歇性供电或节能模式的应用。
　　该芯片还具备高可靠性和抗干扰能力，适合在工业环境中稳定运行。

应用

IS61C256AH-10T广泛应用于需要高速存储和低功耗的设备中，如工业控制系统、通信设备、路由器、交换机、测试仪器和嵌入式系统。
　　该芯片也适用于需要快速缓存或临时数据存储的场景，例如图像处理、数据缓冲和高速数据采集系统。
　　由于其工业级温度范围，IS61C256AH-10T也常用于户外设备、自动化控制系统和车载电子系统中。
　　此外，该芯片可用于替代传统异步SRAM，提升系统性能和稳定性。