时间：2025/6/29 16:25:31
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28C010-250 (GEN) 是一款由General Semiconductor（通用半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET设计用于高电流、高电压的开关应用，具有较低的导通电阻和高效的开关性能。适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率开关的电子系统。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7.3A
导通电阻(Rds(on))：最大0.26Ω
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
28C010-250 (GEN) MOSFET具有多个重要特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍然保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。其次，该ds=100V）使其能够承受较高的电压应力，适用于各种高压应用场景。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能稳定工作，工作温度范围达到-55°C至175°C，这使得它在恶劣环境条件下也能可靠运行。其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在标准的PCB布局中，适合大批量生产和使用。
栅极驱动方面，该MOSFET支持±20V的栅源电压，允许使用标准的栅极驱动电路进行控制，简化了设计流程。同时，其快速的开关特性减少了开关损耗，提高了响应调制（PWM）控制器。
28C010-250 (GEN) MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池充电器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。由于其高电压能力和良好的导电性能，它也非常适合用作高边或低边开关，在各类电力电子设备中发挥关键作用。此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电系统、电动助力转向系统等，提供可靠的功率控制解决方案。
IRFZ44N, FDPF08N50, STP7NK50Z
