时间：2025/12/28 18:28:47
阅读：9
IS61C256-25N是一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产。该芯片具有256K位的存储容量，组织形式为32K x 8位，适用于需要高速访问和低功耗的应用场景。该芯片采用标准的异步SRAM架构，支持快速读写操作。
容量：256 Kbit
组织方式：32K x 8
访问时间：25 ns
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据输出：三态输出
封装引脚数：54引脚
IS61C256-25N采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问的特点。其访问时间仅为25ns，适用于要求快速数据存取的应用。该芯片支持异步操作，无需时钟信号控制，简化了系统设计。三态输出功能允许将多个设备连接到同一数据总线，提高系统的扩展性和灵活性。此外，其工作电压为3.3V，符合现代低功耗系统的设计要求。封装采用54引脚TSOP，适合高密度PCB布局。
该芯片具有良好的稳定性和可靠性，适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种应用场景。其设计兼容性强，能够与多种主控芯片和系统平台配合使用。
IS61C256-25N广泛应用于需要高速缓存或数据缓冲的系统中，如工业控制系统、网络通信设备、嵌入式系统、视频处理设备、打印机和扫描仪等外设控制器。此外，该芯片也适用于汽车电子、测试设备和医疗设备等对可靠性和性能要求较高的领域。
CY62148EDE25ZS, AS6C4016-25PCN, IS64C256A-25N
