时间：2025/8/5 17:22:20
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IXTH15N35MA 是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效能开关电源、电机控制、DC-DC转换器等高功率应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏-源电压（VDS）：350V
最大栅-源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.27Ω
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
功率耗散（PD）：150W
阈值电压（VGS(th))：2V至4V
IXTH15N35MA 采用先进的平面工艺制造，具备出色的热稳定性和长期可靠性。其高击穿电压能力（350V）使其在高电压应用中表现出色。该MOSFET的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和电机驱动系统。
在设计方面，IXTH15N35MA 采用了优化的芯片结构，提高了电流处理能力并降低了寄生电容，从而减少了开关损耗。其栅极驱动要求较低，能够在较宽的温度范围内保持稳定工作，确保系统在极端环境下的可靠性。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，增强了器件在高压瞬态条件下的耐用性。
IXTH15N35MA 常用于工业电源、开关电源（SMPS）、UPS系统、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路以及各种高电压、高功率电子系统中。其优异的性能使其成为对可靠性和效率有较高要求的应用场景中的理想选择。
IXTH15N35AF, IXTH15N35DH, IRFP450, FDPF450N15A
