时间：2025/9/1 15:56:13
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IS49RL36160-125EBLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM），容量为36Mb，组织方式为x16或x36。该芯片采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据存取的高性能系统。IS49RL36160-125EBLI采用125MHz的访问速度，支持低功耗模式，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C）。该SRAM芯片广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备、嵌入式系统等领域。
容量：36Mb
组织方式：x16/x36
访问时间：125MHz
电源电压：2.3V至3.6V
工作温度：-40°C至+85°C
封装形式：TSOP
封装尺寸：54引脚
数据保持电压：1.5V（最小）
最大工作电流：待机模式下为10mA（典型值），工作模式下为300mA（典型值）
输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
封装类型：工业级
IS49RL36160-125EBLI是一款高性能异步SRAM，具备高速存取能力，访问时间为125MHz，能够满足高性能系统对内存响应速度的要求。该芯片采用CMOS工艺制造，具备良好的功耗控制能力，支持待机模式，在低功耗状态下可显著减少电流消耗，适用于对功耗敏感的应用场景。其电源电压范围为2.3V至3.6V，支持宽电压输入，提高了系统设计的灵活性。此外，该芯片具备数据保持功能，在电源电压降至1.5V时仍能保持存储数据，适合在断电或低电量情况下保护关键信息。该器件采用54引脚TSOP封装，符合工业级标准，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境。
IS49RL36160-125EBLI SRAM芯片广泛应用于多个高性能电子系统领域。在通信设备中，它可用于高速缓存、数据缓冲和协议处理。在工业控制系统中，它常用于实时数据存储与处理。此外，该芯片也适用于网络设备中的路由表缓存和嵌入式系统的临时数据存储。其宽温度范围和低功耗特性使其在自动化控制、测试设备、安防系统和智能仪表等应用中具有广泛适用性。
IS49RL36160A-125EBLI
IS49RL36160-125BST
