时间：2025/9/1 16:40:36
阅读：7
IS49RL36160-093EBL是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有较大的存储容量和较快的访问速度，适用于需要高性能存储解决方案的应用场合。该芯片为36位宽，支持高速数据读写，常用于网络设备、工业控制、通信设备等领域。
容量：256K x 36位
电压：3.3V
访问时间：9.3ns
封装类型：TSOP
引脚数：128
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行接口
读写操作：异步操作
封装尺寸：14mm x 20mm
IS49RL36160-093EBL具备高性能的异步SRAM架构，能够提供高达9.3ns的访问速度，适用于对响应时间要求较高的系统设计。该芯片采用低功耗CMOS工艺制造，在保持高速运行的同时有效降低功耗。
其256K x 36位的组织结构使其适用于需要高带宽数据传输的应用，如高速缓存、缓冲存储器、图形处理等场景。此外，该器件支持异步读写操作，无需时钟信号控制，简化了系统设计的复杂性。
封装方面采用128引脚TSOP封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于工业级环境下的长期稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应广泛的工业和通信应用需求。
在数据完整性方面，该SRAM具备可靠的抗干扰设计，确保在高频操作下的数据稳定性，适用于网络交换、路由器、数据采集系统等关键应用。
IS49RL36160-093EBL广泛应用于通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统、测试仪器、嵌入式系统、图形处理设备以及需要高速缓存的计算机外围设备。由于其高带宽和低延迟特性，特别适合用于临时数据缓冲、高速缓存存储、数据包处理等场景。
[
"IS49RL36160-100EBL",
"IS49RL36160-087EBL",
"CY7C1380C-133BZC",
"IDT71V416SA90PFG"
]
