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IS49NLC36160-25BI 发布时间 时间:2025/12/28 17:27:03 查看 阅读:24

IS49NLC36160-25BI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),具有高性能和低功耗特性,适用于需要快速数据访问的电子系统。该SRAM器件采用CMOS工艺制造,提供36位宽的数据总线接口,适用于网络设备、工业控制系统、计算机外围设备等应用。

参数

类型:异步SRAM
  容量:16Mbit
  组织结构:36160(即1024K x 36位)
  电源电压:3.3V
  访问时间:25ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:119
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据总线宽度:36位
  最大工作频率:约40MHz(基于访问时间计算)
  读写模式:异步读写控制
  功耗:低CMOS功耗

特性

IS49NLC36160-25BI具备高速访问能力,其25ns的访问时间确保了在高频操作下的稳定性,适合需要快速数据读取和写入的应用场景。
  此外,该芯片的异步控制接口设计简化了与微处理器、FPGA或其他主控设备的连接,降低了系统设计的复杂度。
  它还支持低待机电流模式,从而在不使用时显著降低功耗,适用于对能耗敏感的嵌入式系统和便携设备。
  这款SRAM采用了先进的CMOS工艺,确保了良好的抗噪性能和高可靠性,能够在恶劣的工业环境下稳定运行。
  其119引脚TSOP封装不仅节省空间,而且有利于高频信号的完整性,适用于高密度PCB设计。
  整体而言,IS49NLC36160-25BI以其高速、低功耗、高可靠性和灵活的接口设计,成为多种高性能嵌入式系统的理想选择。

应用

IS49NLC36160-25BI适用于多种高性能电子系统,包括但不限于:工业控制设备中的缓存或临时数据存储、网络与通信设备(如路由器和交换机)中的高速数据缓冲、嵌入式系统中的图形或程序存储、测试与测量仪器中的高速数据采集缓存、汽车电子系统中需要高稳定性的数据处理单元、以及FPGA或ASIC的外部存储扩展。

替代型号

CY7C1513AV25-25BZC、IDT71V436161SA25B、AS7C3616025BANB、IS49NLD36160-25BI

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IS49NLC36160-25BI参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度36 bit
  • 组织16 Mbit x 36
  • 封装 / 箱体BGA-144
  • 存储容量576 Mbit
  • 最大时钟频率400 MHz
  • 访问时间2.5 ns
  • Supply Voltage - Max1.9 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作电流460 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量104