时间：2025/9/1 12:56:13
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IS46TR16640ED-15HBLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）设计制造的一款高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步SRAM兼容的DRAM产品，适用于需要大容量存储和高性能的应用场景。IS46TR16640ED-15HBLA1 采用先进的CMOS工艺，具有高性能和高可靠性的特点。
容量：256Mbit
组织方式：16M x16
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：15ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
IS46TR16640ED-15HBLA1 是一款高性能的DRAM芯片，专为需要高速数据访问和低功耗的系统设计。其主要特性包括高速访问时间、宽电压工作范围、低功耗设计和高可靠性。该芯片支持异步SRAM接口，兼容多种微控制器和嵌入式系统的存储器接口标准，简化了系统设计并提高了灵活性。
这款芯片的访问时间为15ns，能够满足高速数据处理需求，适用于通信设备、工业控制、消费类电子产品等应用领域。其采用CMOS工艺制造，具备较低的功耗和较高的稳定性，适合长时间运行的系统。此外，IS46TR16640ED-15HBLA1 支持多种工作电压（2.3V至3.6V），增强了其在不同应用场景下的适应性。
封装方面，该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，体积小巧，便于PCB布局，同时具备良好的散热性能。其工作温度范围为工业级 -40°C 至 +85°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
IS46TR16640ED-15HBLA1 被广泛应用于需要大容量存储和高速数据处理的电子设备中。典型应用包括网络通信设备、工业控制板、医疗设备、消费类电子产品（如数码相机、智能家电）以及汽车电子系统等。该芯片的高速访问能力和低功耗设计，使其特别适合用于缓存、帧缓冲器、数据缓冲器等对性能要求较高的场合。
IS46LVT16640ED-15HBLA1, IS48C16640ED-15HBLI
