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IS46TR16256B-107MBLA2-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:35:31 查看 阅读:25

IS46TR16256B-107MBLA2-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的存储容量为 256K x 16 位,适用于需要高速数据存取和低功耗的系统应用。

参数

容量:256K x 16 位
  工作电压:3.3V
  访问时间:10 ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:异步

特性

IS46TR16256B-107MBLA2-TR 是一款高速 SRAM 芯片,具有优异的性能和稳定性。该芯片的访问时间为 10 ns,可满足高性能嵌入式系统和通信设备的需求。其工作电压为 3.3V,具有低功耗特性,适合在电源受限的应用中使用。芯片采用 54 引脚 TSOP 封装,便于在高密度 PCB 设计中使用。此外,该芯片支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在各种恶劣环境下的稳定运行。
  IS46TR16256B-107MBLA2-TR 的异步接口设计使其兼容多种控制器和系统架构,广泛应用于网络设备、工业控制、测试设备和消费电子产品。其高可靠性和成熟的制造工艺确保了产品的长期稳定供货和良好的品质一致性。

应用

IS46TR16256B-107MBLA2-TR 适用于各种需要高速缓存和数据存储的电子系统。其主要应用领域包括网络设备、工业控制系统、通信模块、测试仪器以及高端消费电子产品。该芯片的高速访问能力和低功耗特性使其成为嵌入式处理器系统和实时控制应用的理想选择。

替代型号

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IS46TR16256B-107MBLA2-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,500 : ¥76.40335卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)