GRT21BC71E475KE13L是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要应用于无线通信系统中的射频信号放大。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高线性度和低失真的特点,能够有效提升系统的传输距离和信号质量。
其设计专为基站、中继站以及无线数据传输设备提供稳定的功率输出。同时,芯片内部集成了多种保护机制,如过温保护和负载不匹配保护,以确保在复杂工作环境下的可靠性。
型号:GRT21BC71E475KE13L
工作频率范围:700MHz - 4750MHz
输出功率:47dBm
增益:13dB
电源电压:5V
静态电流:1.2A
效率:60%
封装形式:QFN-24
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
GRT21BC71E475KE13L具备以下显著特性:
1. 高输出功率:支持高达47dBm的输出功率,满足大范围覆盖需求。
2. 宽频带设计:适用于700MHz至4750MHz的频率范围,覆盖多个无线通信频段。
3. 低功耗与高效率:通过优化电路设计,在保证性能的同时实现较低的功耗。
4. 内置保护功能:集成过温保护、短路保护及负载不匹配保护,增强芯片的耐用性和安全性。
5. 易于集成:采用小型化的QFN-24封装,便于在紧凑型设备中应用。
6. 高线性度:在大信号条件下保持良好的线性度,减少信号失真。
这些特性使该芯片成为高性能无线通信系统的理想选择。
GRT21BC71E475KE13L广泛应用于以下领域:
1. 无线基站:用于蜂窝网络中的射频信号放大,提高基站的覆盖范围。
2. 中继站:增强信号强度,确保偏远地区的通信质量。
3. 点对点通信设备:为微波链路和卫星通信提供稳定可靠的功率输出。
4. 移动通信测试设备:作为信号源或放大模块,用于测试和验证通信系统性能。
5. 工业物联网:在需要长距离通信的工业场景中,提供高效的功率放大功能。
由于其宽频带和高功率特性,该芯片可灵活适应多种无线通信应用场景。
GRT21BC71E475KE12L, GRT21BC71E475KE14L