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3M03AN 发布时间 时间:2025/8/28 9:49:54 查看 阅读:14

3M03AN是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于需要高效率和快速开关性能的电源管理应用中。这种类型的器件通常具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和电池管理系统等领域。3M03AN的封装设计有助于提高散热性能,从而在高负载条件下仍能保持稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):180A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):3mΩ(最大值)
  功率耗散(Pd):200W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装类型:TO-247

特性

3M03AN的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件能够在高电流条件下运行,并具有良好的热稳定性,使其适用于高功率密度设计。
  此外,3M03AN具备高耐压能力,能够承受较高的漏源电压(Vds),确保在各种电源应用中的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计。
  该MOSFET还具有良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供更高的鲁棒性。此外,TO-247封装形式提供了优异的散热性能,使器件在高负载下仍能保持较低的工作温度,延长使用寿命。
  3M03AN的制造工艺采用了先进的沟槽式MOSFET技术,优化了电场分布,提高了器件的开关速度和整体性能。这使得它非常适合用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动电路。

应用

3M03AN广泛应用于需要高效功率管理的场合,如服务器电源、电信设备、工业自动化、电池管理系统(BMS)、电动车充电器以及高功率DC-DC转换器等。
  在服务器和数据中心电源系统中,3M03AN用于高效率的功率转换,以降低能耗并提高系统稳定性。
  在电动车和储能系统中,该器件可用于电池管理系统中的开关元件,实现高效的充放电控制。
  此外,它也适用于电机控制应用,如无刷直流电机(BLDC)驱动和伺服控制系统,提供快速响应和精确的电流控制。
  由于其优异的导热性能和高电流承载能力,3M03AN也常用于高功率音频放大器和不间断电源(UPS)系统。

替代型号

SiM032N、IRF1405、FDP047N03A、NTMFS5C428NWT、IPB033N03LG

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