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IS46TR16128B-125KBLA1-TR 发布时间 时间:2025/9/1 12:52:27 查看 阅读:1

IS46TR16128B-125KBLA1-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS技术制造,提供高速存取性能和低功耗特性,适用于需要快速数据访问和可靠存储的应用场景。

参数

容量:256Kbit
  组织方式:x16位(即每个地址存储16位数据)
  访问时间:12ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

IS46TR16128B-125KBLA1-TR 具备多项优异特性。首先,其高速访问时间为12ns,可满足高速数据存取需求,适用于实时系统或高性能嵌入式设备。其次,该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时有效降低功耗,适用于对功耗敏感的应用环境。此外,其工作电压为3.3V,符合现代电子系统中常用的电源标准,便于集成到现有电路中。封装采用TSOP形式,具有较小的体积和良好的散热性能,适合在空间受限的PCB布局中使用。最后,该芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业控制、通信设备、网络设备等苛刻环境下的应用。

应用

该芯片广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信模块、嵌入式系统、图像处理设备等领域。例如,可用于路由器和交换机中的高速缓存、工业PLC控制器的数据存储、视频采集与处理设备的帧缓存等。由于其高速、低功耗和工业级稳定性的特点,也适合用于自动化设备和车载电子系统中。

替代型号

IS46LPS16256A-125KBLA1-TR, CY62167VLL-12ZSXE, IDT71V128L12PFG

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IS46TR16128B-125KBLA1-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)