类型：高压功率开关
　　集成MOSFET：700V
　　最大输出功率：125W
　　封装类型：DIP-14C
　　工作温度范围：-40°C 至 150°C
　　控制模式：准谐振（QR）控制
　　输入电压范围：85VAC 至 265VAC
　　开关频率：可变频率（最高约132kHz）
　　保护功能：过载保护、过热保护、欠压保护、过压保护

VBO125-18N07 是 Power Integrations 的一款高集成度电源管理芯片，其最大的特点是将高压功率 MOSFET 和控制器集成在单一芯片中，从而显著减少了外围元件的数量，简化了设计流程，并提高了系统的可靠性。该芯片采用了准谐振（QR）控制技术，能够有效降低开关损耗并减少电磁干扰（EMI），使设计更加符合国际电磁兼容性标准。
　　此外，VBO125-18N07 支持宽范围的输入电压（85VAC 至 265VAC），适应全球不同地区的电网条件。其内置的多种保护机制，如过载保护、过热保护、欠压保护和过压保护，进一步增强了系统的安全性与稳定性，适用于各种严苛的工业环境。
　　芯片的封装形式为 DIP-14C，便于散热和安装，适合高功率密度的设计需求。其最高工作温度可达 150°C，具有良好的热稳定性和长期工作可靠性。同时，VBO125-18N07 的高集成度设计也降低了 PCB 布局的复杂度，有助于缩短产品开发周期，提高生产效率。
　　总的来说，VBO125-18N07 是一款性能优异、集成度高的电源管理芯片，适用于多种高功率密度和高可靠性要求的应用场景。

VBO125-18N07 主要用于各种中高功率电源系统的设计，包括但不限于工业电源、LED 照明驱动电源、电池充电器、适配器、智能家电电源模块等。由于其高集成度和内置保护功能，该芯片特别适合需要高可靠性和高效率的小型化电源系统设计。在工业自动化、智能家居、LED 照明等领域中，VBO125-18N07 都有广泛的应用前景。

LNK6232DG-TL、VY0125-2E、VY0265-2E、TOP266EG