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IS46R16160F-6BLA2 发布时间 时间:2025/8/2 0:36:40 查看 阅读:23

IS46R16160F-6BLA2 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件属于高性能SRAM存储器,广泛应用于网络设备、通信设备、工业控制系统、测试设备和嵌入式系统等需要快速数据访问的场合。该型号的SRAM容量为256K x 16位,采用高速异步访问技术,确保快速数据读写。

参数

容量:256K x 16位
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  最大访问时间:5.4ns(典型值)
  工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
  封装类型:100引脚 TQFP
  封装尺寸:14x20mm
  封装材料:塑料
  输出类型:三态
  输入/输出接口:并行
  最大读取电流:100mA(典型值)
  最大待机电流:10mA

特性

IS46R16160F-6BLA2 是一款高速SRAM,具有出色的性能和稳定性。其访问时间仅为5.4ns,适合需要快速数据处理的应用。该器件支持2.3V至3.6V的宽电压范围,适应不同的电源环境,确保系统设计的灵活性。此外,该SRAM支持三态输出,允许多个设备共享同一数据总线,简化电路设计并减少外部元件数量。其100引脚TQFP封装提供了良好的散热性能和空间节省,适合高密度电路板布局。该器件还具有低功耗待机模式,在不需要访问存储器时可显著降低功耗。由于其高速度和低延迟的特性,IS46R16160F-6BLA2 常用于网络交换机、路由器、工业控制设备以及高速缓存应用。

应用

IS46R16160F-6BLA2 SRAM存储器主要应用于需要高速数据存取的嵌入式系统、通信设备、工业自动化系统、测试设备、图像处理设备以及网络设备。例如,在路由器和交换机中,该存储器可用于高速缓存、数据包缓冲或临时数据存储,以提高数据处理效率。在工业控制系统中,它可作为高速缓冲存储器,支持快速指令执行和数据传输。此外,该SRAM也可用于高性能计算设备中的临时数据存储和高速缓存。

替代型号

IS46R16160B-6TLA2 | CY62167EV30LL-55BZXI | IDT71V1216SA-10P | IS61LV25616-10B

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IS46R16160F-6BLA2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格190 : ¥51.12958托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)