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IS46R16160F-6BLA2-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:23:41 查看 阅读:30

IS46R16160F-6BLA2-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高性能和低功耗的特点,适用于需要快速数据访问的应用场景。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了在高速运行下的稳定性和可靠性。

参数

容量:256K x 16位
   电源电压:2.3V 至 3.6V
   访问时间:5.4ns(最大)
   工作温度范围:-40°C 至 +85°C
   封装类型:132-TQFP
   输入/输出接口:CMOS兼容
   功耗:典型电流约100mA

特性

IS46R16160F-6BLA2-TR 采用高性能的CMOS工艺,确保了低延迟和高速数据存取的能力。其访问时间仅为5.4ns,使得该芯片非常适合用于高速缓存、网络设备和工业控制系统等对性能要求较高的场合。此外,该SRAM芯片具有宽电压范围(2.3V至3.6V),适应不同电源环境,同时具备宽温范围(-40°C至+85°C),适用于工业级应用。其132-TQFP封装形式有利于PCB布局的紧凑性和热管理,增强系统稳定性。
  该器件还支持异步操作,能够灵活地与各种主控芯片接口,降低了系统设计的复杂性。同时,其低待机电流特性有助于在非活跃状态下节省功耗,适用于对功耗敏感的应用。该芯片在制造上采用了高质量的工艺流程,确保了高可靠性和长期稳定性,是通信设备、嵌入式系统和数据采集设备的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于网络设备、路由器、工业控制设备、测试仪器、通信模块、嵌入式系统以及需要高速数据缓存的场景。由于其高可靠性和宽温特性,也适合用于严苛环境下的工业控制系统和车载电子设备。

替代型号

IS46R16160B-6TLA2-TR, CY7C1380C-5AXI, IDT71V416S-10PFG

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IS46R16160F-6BLA2-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥45.43369卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)