EP200 时间：2025/7/19 3:51:59 阅读：3

EP200 是一款由 EPC（Efficient Power Conversion）公司推出的氮化镓（GaN）功率晶体管，型号为 EPC200。这款器件专为高效率、高频功率转换应用设计，广泛用于DC-DC转换器、无线充电、太阳能逆变器、电机驱动以及电源管理系统等领域。与传统的硅基MOSFET相比，EPC200 在性能上具有显著优势，如更低的导通电阻、更小的封装尺寸以及更高的开关频率能力。

参数

类型：氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：200 V
　　最大连续漏极电流（ID）：15 A
　　导通电阻（RDS(on)）：15 mΩ
　　最大功率耗散：3.6 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：BGA（芯片级封装，Chip-Scale Package）
　　栅极电荷（QG）：4.2 nC
　　输出电容（COSS）：280 pF

特性

EPC200 是基于增强型氮化镓技术的功率晶体管，具备出色的电气性能和热性能。其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(on)）为15 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的开关性能非常优越，能够在高频条件下运行，从而支持更小的磁性元件和更紧凑的电源设计。EPC200 采用无引线的芯片级BGA封装，具有更小的寄生电感和更优的热管理能力，适用于高温环境下的稳定运行。其栅极电荷（QG）仅为4.2 nC，有助于减少驱动损耗。此外，EPC200 的输出电容（COSS）为280 pF，有助于减少开关过程中的能量损耗。这款器件无需散热器即可在大多数应用中运行，进一步简化了设计并降低了成本。
　　EPC200 的设计特别适合需要高效率和高功率密度的应用，例如服务器电源、电信设备、LED照明、电池充电器以及电动汽车中的电源系统。由于其高频能力，EPC200 可以显著提高开关电源的效率和响应速度，同时减少系统尺寸和重量。此外，它在热性能上的优化也使其在恶劣环境下具有更高的可靠性和更长的使用寿命。