时间：2025/9/1 9:36:25
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IS46DR16320B-3DBLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的可靠性和稳定性，广泛应用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等领域。该型号的存储容量为 512Mb（16M x 32），采用 x32 的数据总线宽度，支持高速数据访问。
容量：512Mb
组织结构：16M x 32
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
封装尺寸：54-ball TSOP
工作温度：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行
时钟频率：最大支持 166MHz
IS46DR16320B-3DBLA1 是一款高速、低功耗的DRAM芯片，具有优异的性能和稳定性。其主要特性包括高速访问时间（5.4ns）、宽电压范围（2.3V 至 3.6V）以适应不同应用场景的电源需求，并支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适合在严苛环境中使用。此外，该芯片采用 54-ball TSOP 封装，便于集成在各种紧凑型电子设备中。
该芯片的 x32 数据总线架构支持较高的数据吞吐能力，适用于需要大容量缓存或主存储器的系统。其低功耗设计有助于延长便携式设备的电池寿命，同时减少设备发热，提高系统稳定性。IS46DR16320B-3DBLA1 还支持异步操作模式，使其能够灵活适配多种处理器和控制器接口。
IS46DR16320B-3DBLA1 主要用于需要高速存储访问和大容量缓存的电子设备中，如工业控制计算机、嵌入式系统、网络通信设备、视频采集和显示设备、测试测量仪器等。其高速数据访问能力和低功耗特性也使其适用于对性能和能效要求较高的便携式设备，例如工业手持终端和智能传感器系统。此外，该芯片还可用于汽车电子系统中的多媒体处理单元或高级驾驶辅助系统（ADAS）模块。
IS46DR16320B-3BLA1, IS46DR16320B-3DBL, IS46LV16320B-3DBLA1
