类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-92

2N5684/D具有多项显著的电气和物理特性，使其适用于多种应用场景。首先，该晶体管的最大集电极电流为100mA，能够支持中等功率需求的应用。同时，其集电极-发射极电压（VCEO）最大为30V，集电极-基极电压（VCBO）最大为50V，这种电压耐受能力使其在多种电路设计中具备灵活性。
　　在增益方面，2N5684/D的电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值根据器件的增益分档（如hFE等级为hFE1至hFE6）而有所不同。这使得该晶体管可以适应不同放大要求的电路设计，提供良好的信号放大能力。
　　该器件的过渡频率（fT）为100MHz，表明其具备较高的高频响应能力，适用于需要快速开关和信号处理的应用场景。此外，2N5684/D的封装采用TO-92标准，这种封装形式具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合安装在空间受限的电路板上。
　　2N5684/D的最大功耗为300mW，能够在一定温度范围内可靠运行，其工作温度上限为150°C，存储温度范围从-65°C到150°C，这使得该晶体管能够适应较为严苛的工作环境。这些特性共同确保了其在工业控制、消费电子产品和通信设备中的广泛适用性。

2N5684/D晶体管广泛应用于多个领域，包括通用放大电路、开关电路以及信号处理电路等。在放大应用中，该晶体管常用于音频放大器、射频放大器以及运算放大器的前端设计，其较高的增益和频率响应能力使其非常适合这些场景。在开关应用中，2N5684/D被广泛用于驱动继电器、LED、小型电机以及逻辑电路中的数字开关。此外，该晶体管也常用于电源管理电路、传感器接口电路以及工业控制系统中的信号转换和控制模块。其高可靠性和宽温度适应性也使其在汽车电子、消费电子和通信设备中得到广泛应用。

2N3904, BC547, PN2222