时间：2025/9/1 12:46:07
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IS46DR16160B-3DBLA1 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）设计制造的高性能DRAM芯片，属于同步动态随机存取存储器（SDRAM）类别。该器件广泛用于需要大容量存储和高速数据访问的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及其他需要可靠内存的电子系统中。IS46DR16160B-3DBLA1 采用16M x 16位的组织结构，提供256Mb的存储容量，支持高速时钟频率和低延迟特性。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
封装类型：TSOP
电压范围：2.3V - 3.6V
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：同步
访问时间：3.3ns
最大频率：166MHz
数据宽度：16位
IS46DR16160B-3DBLA1 提供了多个关键特性，使其成为工业和通信应用的理想选择。首先，该芯片支持高速时钟频率，最大可达166MHz，这使得数据传输速率显著提高，适用于对性能要求较高的系统。其次，其访问时间为3.3ns，保证了快速的数据响应能力，从而减少了系统延迟。该芯片采用16M x 16位的组织结构，提供高达256Mb的存储容量，适用于需要大容量缓存的应用场景。
此外，IS46DR16160B-3DBLA1 的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有较强的电压适应能力，适用于多种电源设计环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。封装形式为TSOP，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。
该芯片还支持多种低功耗模式，如待机模式和深度掉电模式，有助于延长设备电池寿命，尤其适用于便携式或低功耗系统。同时，其同步接口设计简化了控制器的时序控制，提高了系统集成的灵活性和稳定性。
IS46DR16160B-3DBLA1 主要应用于网络设备、工业控制、通信模块、视频处理设备、嵌入式系统、数据采集系统以及需要高性能和高可靠性的电子设备中。由于其高速、低延迟和宽温特性，该芯片特别适合用于路由器、交换机、安防监控系统、工业计算机和智能控制终端等应用场景。
IS46DR16160A-3DBLI1, IS46DR16160B-3DBLI1, IS46DR16320B-3DBLI1
