IS45S32200E-7TLA2是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于异步DRAM类别,具有32位数据总线宽度和256MB的存储容量,适用于需要高性能存储器的工业控制、网络设备和嵌入式系统等应用。该芯片采用TSOP封装,适用于工业级工作温度范围。
容量:256MB(8M x 32)
组织结构:8M x 32
封装类型:TSOP
工作电压:3.3V
访问时间:7ns
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据总线宽度:32位
引脚数量:54
封装尺寸:标准TSOP
制造工艺:CMOS
IS45S32200E-7TLA2是一款高性能DRAM芯片,具有较快的访问时间(7ns),适合对速度有较高要求的应用场景。其低功耗设计使其适用于对能效敏感的嵌入式系统和便携式设备。该芯片采用CMOS工艺制造,确保了稳定性和可靠性,并具备良好的抗干扰能力。此外,其32位宽的数据总线可提供更高的数据吞吐能力,适用于图形处理、缓存存储等需要大量数据读写的应用场景。TSOP封装形式不仅有助于减小PCB面积,还提高了机械稳定性和热稳定性。
该芯片符合工业级温度要求,能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适合用于工业控制、通信设备和汽车电子系统。其标准化的引脚排列也便于设计和替换,提高了系统的兼容性和可维护性。
IS45S32200E-7TLA2广泛应用于各种需要高性能存储的嵌入式系统和工业设备中,如工业控制器、网络交换机、路由器、图像处理设备、汽车信息娱乐系统和视频监控设备。由于其较高的数据吞吐能力和稳定性,该芯片也适用于需要临时数据存储和快速访问的场景,如缓冲存储器、帧缓存和系统内存扩展等。
IS45S32200G-7TLA2, IS45S32400F-6TLA2, IS42S32400F-6TLA2