IS45S16800E-7TLA2 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的 CMOS 异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有16位数据总线和8MB的存储容量,适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。IS45S16800E-7TLA2采用Triton? II+架构,提供高性能和低功耗的特性,适合用于网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等场景。
容量:8MB(1M x 16位)
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:7ns
工作温度:-40°C ~ +85°C(工业级)
封装:54-TSOP
接口类型:异步SRAM
读取电流(最大):250mA(@ 7ns)
待机电流(最大):10mA
IS45S16800E-7TLA2具备多项高性能和低功耗特性。其7ns的访问时间确保了快速的数据读取和写入能力,适用于对时序要求严格的应用。芯片采用低功耗设计,在待机模式下仅消耗极小的电流,有助于延长设备的电池寿命或降低系统功耗。此外,该器件支持宽电压范围(2.3V至3.6V),增强了在不同电源环境下的兼容性。
其54-TSOP封装形式提供了良好的热稳定性和机械稳定性,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),使其在恶劣环境中仍能稳定运行。IS45S16800E-7TLA2的异步接口设计简化了系统集成,无需复杂的时钟同步机制,提高了设计灵活性。
该SRAM芯片还具备良好的数据保持能力,在低电压或断电情况下仍能维持数据完整性,适用于需要高可靠性的应用场景。此外,ISSI 提供了完善的文档支持和应用指南,便于开发人员快速集成和调试。
IS45S16800E-7TLA2广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的嵌入式系统中。例如,在网络设备中,它可以作为缓存存储器用于临时存储数据包;在通信系统中,该芯片可作为高速数据缓冲器,用于处理实时数据流;在工业控制设备中,IS45S16800E-7TLA2可作为程序存储器或数据存储器,满足对可靠性和性能的双重需求。
此外,该芯片也适用于测试设备、医疗仪器和视频处理系统等高精度、高性能需求的设备。其异步接口和宽电压范围使其适用于多种平台和系统架构,包括基于微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)或现场可编程门阵列(FPGA)的系统。IS45S16800E-7TLA2的高稳定性和工业级温度支持,也使其成为工业自动化、车载电子系统和航空航天设备中的理想选择。
IS45S16800B-7TLA2, CY62167EDLL-70BZE3, IDT71V416S08PFGI