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IS45S16800E-7TLA1 发布时间 时间:2025/9/1 9:21:57 查看 阅读:7

IS45S16800E-7TLA1 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)。该SRAM芯片的容量为256K x 16位,总存储容量为4MB,适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景。其异步设计使其在没有时钟信号的情况下也能运行,适用于多种传统和嵌入式系统。IS45S16800E-7TLA1采用Triton封装技术,具有较高的集成度和稳定性。

参数

容量:256K x 16位
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:7ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

IS45S16800E-7TLA1 SRAM芯片具备高速访问能力,其最大访问时间为7ns,可满足高速数据读写需求。芯片采用异步设计,无需时钟信号控制,适用于多种传统接口系统。其供电电压范围为2.3V至3.6V,适应多种电源环境,增强了系统设计的灵活性。
  此外,该芯片支持低待机电流模式,可在非活跃状态下有效降低功耗,适用于对功耗敏感的应用场景。IS45S16800E-7TLA1具有宽温度工作范围(-40°C至+85°C),适用于工业级环境下的稳定运行。封装采用54引脚TSOP形式,有利于节省PCB空间并提升整体系统集成度。
  该芯片还具备较高的抗干扰能力和稳定性,适用于通信、工业控制、汽车电子等多种高可靠性要求的系统。

应用

IS45S16800E-7TLA1 SRAM芯片广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备、嵌入式系统和汽车电子等领域。例如,在路由器和交换机中,它可用于高速缓存或临时数据存储;在工业控制设备中,它可作为主控制器的外部存储器;在汽车电子系统中,可用于仪表盘控制单元或车载信息娱乐系统。
  此外,该芯片也适用于医疗设备、测试仪器以及视频处理设备等需要高速、低延迟存储的场合。由于其异步接口的特性,特别适合与传统微处理器、微控制器或FPGA等配合使用。

替代型号

IS45S16800G-7TLI1
  IS45S16400B-7TLA1

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IS45S16800E-7TLA1参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 组织2 M x 16
  • 封装 / 箱体TSOP-54
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流120 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量108