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IS45S16800B-7TLA1-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:45:15 查看 阅读:29

IS45S16800B-7TLA1-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的16Mbit(1M x 16)静态随机存取存储器(SRAM)。该SRAM芯片采用异步设计,适用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统和工业应用。IS45S16800B-7TLA1-TR采用TQFP封装(Thin Quad Flat Package),具有良好的热性能和空间利用率,适合高密度PCB设计。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:1M x 16
  访问时间:7ns
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:TQFP
  引脚数:54
  最大工作频率:143MHz
  读取电流(典型值):250mA
  待机电流(典型值):10mA

特性

IS45S16800B-7TLA1-TR SRAM芯片具有多项优异特性,包括高速访问时间(7ns),可支持高达143MHz的工作频率,确保系统在高性能状态下稳定运行。该器件采用3.3V单电源供电,降低了功耗并简化了电源设计。其低待机电流(典型值10mA)有助于在低功耗模式下节省电能,适用于对能耗敏感的应用场景。
  此外,该SRAM具备高可靠性,支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛的工业和通信环境。其54引脚TQFP封装不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,有助于提升整体系统的稳定性。该芯片无内部电池依赖,数据在供电状态下保持不变,适合用于缓存、网络设备、工业控制和测试设备等关键系统中。

应用

IS45S16800B-7TLA1-TR广泛应用于需要高速数据存储和高稳定性的电子系统中。其典型应用包括网络设备(如交换机和路由器)、工业控制系统(如PLC和HMI)、通信设备(如基站和传输模块)、测试与测量仪器以及嵌入式系统的高速缓存。由于其高速度和低功耗的特性,也适合用于图像处理、实时控制系统和数据缓冲等场景。

替代型号

IS45S16800B-7TLI, IS42S16800B-7TLA1-TR, CY7C1041GE3-7B, IDT71V124SA7PFGI

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IS45S16800B-7TLA1-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-54
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流130 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量1500