RF7170D 时间：2025/8/16 8:52:43 阅读：4

RF7170D 是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的高性能射频功率放大器（PA）芯片，专为无线通信应用设计。该器件工作在高频波段，通常用于蜂窝通信系统中的基站和终端设备，支持4G LTE、WiMAX等通信标准。RF7170D采用了先进的GaAs（砷化镓）技术，具备高线性度、高增益和优异的效率表现，适用于要求严苛的无线基础设施应用。

参数

工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　增益：约20 dB
　　输出功率：约28 dBm
　　电源电压：+5V
　　电流消耗：约350 mA
　　封装形式：20引脚QFN
　　线性度：高线性度设计
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF7170D 采用先进的GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺制造，具备优异的高频性能和稳定性。该芯片在2.3GHz至2.7GHz频率范围内提供高增益（约20dB）和高效的输出功率（可达28 dBm），同时保持较低的直流功耗（典型工作电流为350mA，供电电压为5V），使其在高密度集成系统中具有良好的热管理能力。
　　此外，RF7170D具有良好的线性度和低失真特性，适用于需要高信号完整性的数字通信系统，如4G LTE基站和用户终端设备。芯片内置匹配网络，减少了外部元件需求，提高了设计的灵活性和可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级应用环境，适用于各种恶劣工作条件。

应用

RF7170D 主要用于蜂窝通信系统的射频前端模块，如4G LTE基站、WiMAX终端设备、无线接入点（AP）和工业通信设备。由于其高线性度和优异的频率响应，它也可用于需要中等输出功率和高稳定性的测试设备、无线传感器网络和宽带通信系统。该芯片适用于需要在2.3GHz至2.7GHz频段内实现高效、高线性放大功能的应用场景。