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IS45S16160G-7TLA2 发布时间 时间:2025/9/1 13:51:08 查看 阅读:8

IS45S16160G-7TLA2 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能、低功耗、异步静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)芯片,容量为256K x 16位,总容量为4Mbit。该器件采用高速CMOS技术制造,适用于需要高速访问和低延迟存储的应用场景。

参数

类型:SRAM
  容量:256K x 16位(4Mbit)
  电源电压:3.3V
  访问时间:7ns
  封装类型:TQFP
  封装引脚数:54引脚
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:异步并行接口
  封装尺寸:14mm x 20mm
  数据保持电压:最小1.5V
  最大工作电流:约200mA(典型值)
  读写操作模式:异步读写控制

特性

IS45S16160G-7TLA2是一款高性能异步SRAM,具有快速访问时间和低功耗设计,适合嵌入式系统、通信设备、工业控制等对存储速度和稳定性有较高要求的应用。该芯片采用CMOS工艺,具备低漏电流特性,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  其7ns的访问时间使得该芯片能够与高速处理器或控制器配合使用,满足实时数据处理的需求。此外,该SRAM具备独立的读写控制信号(OE#、WE#、CE1#、CE2),提高了接口灵活性。
  该芯片的封装形式为54引脚TQFP,适合表面贴装工艺,便于在PCB上布局和自动化生产。同时,其宽温工作范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种工业环境和恶劣条件下的应用。
  另外,IS45S16160G-7TLA2具备数据保持电压低至1.5V的能力,即使在系统掉电或进入低功耗模式时,仍可保持存储数据不丢失,适用于需要数据保留的后备电源应用。

应用

IS45S16160G-7TLA2广泛应用于通信设备(如路由器、交换机)、工业控制系统、医疗设备、图像处理系统、测试与测量设备、嵌入式系统、数据采集设备等。由于其高速访问和低功耗特性,也常用于需要缓存或临时存储数据的场合,例如高速缓存、帧缓冲器、临时数据存储等场景。

替代型号

IS42S16160B-7TLI2, CY7C1380C-7B4I, IDT70V281S164PFG, IS45S16400G-7TLA2

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IS45S16160G-7TLA2参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织16 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体TSOP-54
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间7 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流130 mA
  • 最大工作温度+ 105 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108