时间：2025/9/1 13:51:08
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IS45S16160G-7TLA2 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高性能、低功耗、异步静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）芯片，容量为256K x 16位，总容量为4Mbit。该器件采用高速CMOS技术制造，适用于需要高速访问和低延迟存储的应用场景。
类型：SRAM
容量：256K x 16位（4Mbit）
电源电压：3.3V
访问时间：7ns
封装类型：TQFP
封装引脚数：54引脚
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：异步并行接口
封装尺寸：14mm x 20mm
数据保持电压：最小1.5V
最大工作电流：约200mA（典型值）
读写操作模式：异步读写控制
IS45S16160G-7TLA2是一款高性能异步SRAM，具有快速访问时间和低功耗设计，适合嵌入式系统、通信设备、工业控制等对存储速度和稳定性有较高要求的应用。该芯片采用CMOS工艺，具备低漏电流特性，有助于延长电池供电设备的续航时间。
其7ns的访问时间使得该芯片能够与高速处理器或控制器配合使用，满足实时数据处理的需求。此外，该SRAM具备独立的读写控制信号（OE#、WE#、CE1#、CE2），提高了接口灵活性。
该芯片的封装形式为54引脚TQFP，适合表面贴装工艺，便于在PCB上布局和自动化生产。同时，其宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种工业环境和恶劣条件下的应用。
另外，IS45S16160G-7TLA2具备数据保持电压低至1.5V的能力，即使在系统掉电或进入低功耗模式时，仍可保持存储数据不丢失，适用于需要数据保留的后备电源应用。
IS45S16160G-7TLA2广泛应用于通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统、医疗设备、图像处理系统、测试与测量设备、嵌入式系统、数据采集设备等。由于其高速访问和低功耗特性，也常用于需要缓存或临时存储数据的场合，例如高速缓存、帧缓冲器、临时数据存储等场景。
IS42S16160B-7TLI2, CY7C1380C-7B4I, IDT70V281S164PFG, IS45S16400G-7TLA2
