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HY62WT08081E-DT70CDR 发布时间 时间:2025/9/2 4:52:50 查看 阅读:8

HY62WT08081E-DT70CDR 是Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于异步SRAM类别,具有低功耗、高速度和高可靠性等特点,适用于各种需要快速数据存取的电子系统。该芯片采用CMOS技术制造,具备工业级的工作温度范围,适合在各种严苛环境下稳定运行。HY62WT08081E-DT70CDR 采用TSOP封装形式,便于在PCB上安装和布线。

参数

容量:8Mbit
  组织结构:8位(8Mbit = 512K x 16)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:70ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  封装尺寸:标准TSOP尺寸
  读取电流:最大100mA(典型值)
  待机电流:最大10μA
  封装材料:塑料

特性

HY62WT08081E-DT70CDR 是一款高性能的异步SRAM芯片,其核心优势在于高速访问能力和低功耗设计。该芯片的访问时间为70ns,使得它能够在需要快速数据存取的应用中表现出色。此外,其低待机电流(最大10μA)使其非常适合用于对功耗敏感的设计,如便携式设备和电池供电系统。
  该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,提高了其在不同系统中的兼容性。CMOS制造工艺不仅提升了芯片的稳定性,还降低了功耗和发热,从而延长了系统的使用寿命。工业级的工作温度范围(-40°C至+85°C)使得HY62WT08081E-DT70CDR可以在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业控制、通信设备、汽车电子等多种应用场景。
  TSOP封装形式不仅有助于减少PCB占用空间,还提高了抗干扰能力,确保数据在高速传输过程中的稳定性。此外,该芯片的读取电流最大为100mA,确保在高负载情况下仍能保持稳定的数据读取性能。

应用

HY62WT08081E-DT70CDR 主要应用于需要快速数据缓存和临时存储的场合,如嵌入式系统、工业控制器、通信模块、网络设备、测试仪器以及汽车电子控制系统。由于其低功耗和高稳定性,也适用于便携式设备和远程监控系统。

替代型号

CY62167EVLL-S70BTR、IDT71V416SA70B

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