IS45S16160D-7TLA1 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司制造的一款高速、低功耗的CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该器件属于ISSI的高速DRAM产品系列,采用16M×16位的组织结构,提供256Mb的存储容量,适用于需要高性能数据存储和快速访问的系统应用。该芯片采用54引脚TSOP封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于各种嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。
容量:256Mb
组织结构:16M x 16位
电源电压:2.3V至3.6V
访问时间(tRC):7ns
封装类型:54引脚TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装尺寸:54-TSOP
数据宽度:16位
刷新方式:自动刷新/自刷新
时钟频率:166MHz
接口类型:并行
IS45S16160D-7TLA1 是一款低功耗但高速的DRAM芯片,其主要特性包括宽电压范围(2.3V至3.6V)以适应不同的电源系统设计,同时具备自动刷新和自刷新功能,以降低功耗并提高系统稳定性。该芯片的访问时间仅为7ns,支持高达166MHz的时钟频率,适用于对存取速度要求较高的应用。其16位并行数据总线设计可提高数据传输效率,适合用于图像处理、高速缓存及嵌入式系统中的临时存储。此外,该器件采用工业级温度封装,能够在恶劣环境中稳定工作。
该芯片还具备CMOS兼容输入/输出电平,方便与各种主控芯片连接。其TSOP封装形式有助于减少封装体积,提高PCB布线的灵活性。由于其高速和低功耗的结合,IS45S16160D-7TLA1 在视频监控设备、工业计算机、网络路由器和数据采集系统中得到了广泛应用。
IS45S16160D-7TLA1 主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场景,如工业控制系统、视频采集与处理设备、嵌入式主机、网络通信设备以及手持式测量仪器。它也适用于需要大容量RAM的医疗设备、测试仪器和自动化设备中。由于其高速访问性能和低功耗设计,该芯片在便携式设备和需要长时间运行的系统中表现出色。
IS45S16160G-7TLLB1, IS45S16400B-7TLLB1, IS45S16800B-7TLLB1