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IS43TR82560BL-15HBLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:21:08 查看 阅读:29

IS43TR82560BL-15HBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于异步SRAM接口兼容型DRAM类别。该器件采用8M x 32位的组织结构,总共提供256Mb的存储容量。它广泛应用于需要大容量、高速存储的场合,如网络设备、通信系统、工业控制、汽车电子和消费类电子产品等。

参数

存储容量:256Mb
  组织结构:8M x 32
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  接口类型:异步
  访问时间:最大15ns(对应频率约66MHz)
  封装引脚数:54引脚
  数据输出类型:三态输出
  工作模式:异步模式
  刷新方式:自动刷新
  功耗:低功耗设计,典型电流值根据工作模式不同而变化

特性

IS43TR82560BL-15HBLI具有多项优异的性能特征。首先,其高速访问时间为15ns,支持高达66MHz的工作频率,适用于需要快速数据存取的应用场景。其次,该芯片支持异步操作,兼容SRAM接口,便于系统设计和替换。其低功耗设计使其在待机或低活动状态下功耗显著降低,适用于对功耗敏感的设备。
  该芯片采用CMOS工艺制造,具有良好的噪声抑制能力和稳定性,能够在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)稳定运行,适用于严苛的工业和汽车环境。此外,它具备自动刷新功能,确保数据在断电前保持完整性,减少了外部控制器的负担。
  TSOP封装形式使得芯片体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时也有助于降低信号干扰。其54引脚的封装设计支持标准的地址和数据总线连接方式,简化了与主控芯片的接口设计。

应用

IS43TR82560BL-15HBLI广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业设备中,包括但不限于:工业控制器、网络交换机和路由器、视频采集与处理设备、汽车信息娱乐系统、医疗成像设备以及高端消费电子产品等。由于其高速、低功耗和工业级温度范围的特性,特别适合用于需要大容量缓存或临时存储数据的场合。

替代型号

IS43TR82560BL-15HBLA, IS43TR82560BL-15HBF5, IS43TR82560BL-15HBF6

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IS43TR82560BL-15HBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(8x10.5)