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IS43TR82560BL-15HBLI-TR 发布时间 时间:2025/8/1 0:14:58 查看 阅读:27

IS43TR82560BL-15HBLI-TR 是 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用CMOS技术制造,具有高速、低功耗和高可靠性等优点,适用于需要快速数据访问的工业和商业应用。

参数

容量:256K x 8 位
  组织方式:256K地址 x 8数据位
  电源电压:3.3V
  访问时间:15ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:52
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:异步
  读取电流:最大180mA(典型值)
  待机电流:最大10mA
  封装尺寸:根据TSOP规格

特性

IS43TR82560BL-15HBLI-TR 是一款高速异步SRAM,具有15ns的访问时间,能够满足对数据读写速度要求较高的系统需求。该芯片采用低功耗CMOS工艺制造,能够在待机模式下保持极低的电流消耗,适用于需要节能设计的应用场景。其3.3V的电源电压设计使其兼容现代数字系统的供电标准,同时具备良好的抗干扰能力。TSOP封装设计有助于提高空间利用率,适合在紧凑型电路板中使用。该器件的工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在各种恶劣环境中稳定运行。
  此外,IS43TR82560BL-15HBLI-TR具有可靠的读写性能和较长的数据保持时间,适用于网络设备、工业控制、嵌入式系统、通信设备和消费类电子产品中的高速缓存应用。其异步接口设计简化了与外部控制器的连接,降低了系统设计的复杂度。

应用

该SRAM芯片广泛应用于嵌入式系统、工业自动化、通信设备、网络路由器、打印机、图像处理设备以及消费类电子产品中。其高速和低功耗特性使其特别适合用于缓存存储、临时数据存储以及需要快速数据访问的场合。

替代型号

IS42S16400J-6T、CY62148EVLL-45ZS、IDT71V124SA10PFG、IS43TR82560BL-15HBLI

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IS43TR82560BL-15HBLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(8x10.5)