时间：2025/8/5 20:01:02
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IXFH1605是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和高速开关特性，使其在各种电源转换应用中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A（最大）
最大漏源电压（VDS）：500V
导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
IXFH1605具备低导通电阻，这减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。
其高漏源击穿电压允许该器件在高压环境中可靠工作。
此外，IXFH1605拥有高电流容量，能够处理较大的负载电流，适用于需要高功率密度的设计。
高速开关特性使得该MOSFET适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）、电机控制和DC-DC转换器。
该器件还具有良好的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下保持性能稳定。
IXFH1605常用于各种电源管理和转换应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机控制器、DC-DC转换器以及工业自动化和控制系统。
它也适合用在需要高效能和高可靠性的场合，例如太阳能逆变器、电动汽车充电设备和储能系统。
由于其出色的电气性能和坚固的设计，IXFH1605也可应用于需要频繁开关和高负载条件下的设备中。
IXTH16N50C, FDPF16N50, STF16N50DM2
