IS43TR16256A-125KBL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该SRAM芯片具有高速访问时间和大容量存储能力,适用于需要高可靠性和稳定性能的应用场景。IS43TR16256A-125KBL 的存储容量为 256K x 16 位,意味着其总存储容量为 4Mbit,数据宽度为16位。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗和高抗干扰能力。IS43TR16256A-125KBL 常用于工业控制、通信设备、网络设备、汽车电子等对数据存储和处理速度有较高要求的系统中。
容量:256K x 16 位
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:12ns
封装类型:TSOP(Thin Small-Outline Package)
工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
输入/输出电压兼容性:5V 容忍
最大功耗:约400mA(典型值)
封装引脚数:54 引脚
数据保持电压:最小1.5V
时钟频率:异步,无固定时钟
IS43TR16256A-125KBL 作为一款高性能SRAM芯片,具备多个显著特性,以满足复杂应用的需求。首先,其高速访问时间为12ns,这使得它非常适合用于需要快速数据存取的实时系统中。此外,该芯片采用异步设计,不需要时钟信号进行同步,从而简化了接口电路的设计,提高了系统的灵活性。
其次,该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,支持低电压操作,适用于便携式设备和低功耗系统。同时,它还具备5V容忍的输入/输出端口,允许与多种标准逻辑电路直接连接,增强了系统的兼容性。
IS43TR16256A-125KBL 还具有较高的工作温度耐受范围,从-40°C到+85°C,符合工业级温度标准,确保在各种环境条件下稳定运行。这一特性使其广泛应用于工业控制、通信、汽车电子等领域。
此外,该芯片采用TSOP封装形式,体积小且易于焊接,适合高密度PCB布局。其54引脚的封装结构提供了清晰的地址线、数据线和控制信号线,方便用户进行系统集成。
最后,该SRAM芯片具备良好的数据保持能力,在电源电压低至1.5V时仍能保持存储数据不变,适用于需要断电保持数据的应用场景。
IS43TR16256A-125KBL 广泛应用于多个高性能电子系统领域。在工业自动化系统中,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)和工业计算机中作为高速缓存或临时数据存储器,以提高处理效率和系统响应速度。
在通信设备方面,该芯片可用于路由器、交换机和基站等设备中,作为高速数据缓冲存储器,以提升数据传输和处理能力。
在汽车电子系统中,IS43TR16256A-125KBL 可用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)和车载控制系统,以确保数据的快速存取和系统稳定运行。
此外,该芯片也适用于测试测量设备、医疗电子设备和嵌入式系统,为需要高速数据处理和临时存储的应用提供可靠支持。
IS43LV16256A-125KBL, CY62167VLL-12ZSXI, IDT71V128SA125B, ISSI IS43TR16512A-125KBL