时间：2025/9/1 9:21:45
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IS43TR16128D-125KBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速、低功耗、异步SRAM系列，具有16位数据宽度和128K的存储容量，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。IS43TR16128D-125KBLI 采用CMOS工艺制造，具备高速读写能力，工作温度范围为工业级（-40°C 至 +85°C），适合工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统等领域。
容量：256Kbit
组织结构：x16
电源电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：12ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
IS43TR16128D-125KBLI 具备多项优异特性，首先其高速访问时间为12ns，确保了快速的数据读写能力，适用于对时延要求较高的系统。该SRAM芯片采用异步控制方式，无需时钟同步，简化了系统设计并提高了灵活性。其低功耗设计在待机模式下功耗极低，适用于对功耗敏感的应用场景。
该器件采用CMOS工艺制造，具有高噪声抑制能力和稳定的读写性能。芯片内置自动低功耗模式（待机模式），可通过使能信号控制进入或退出该模式，从而有效延长系统电池寿命。此外，IS43TR16128D-125KBLI 支持全地址解码，确保了地址访问的稳定性和准确性。
在封装方面，该芯片采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于高密度PCB布局和工业级环境。其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。
IS43TR16128D-125KBLI 主要用于嵌入式系统、工业控制、通信设备、网络路由器和交换机、测试设备、医疗仪器和汽车电子等应用场合。由于其高速、低功耗和宽温特性，特别适合用于缓存、数据缓冲、图形存储、高速临时数据存储等应用场景。在需要高性能存储子系统的系统中，IS43TR16128D-125KBLI 可作为主控制器的高速外部存储器使用，显著提升系统的数据处理能力。
在通信领域，该芯片可用于网络设备中的数据缓冲和路由表存储；在工业控制中，可用于PLC控制器的数据缓存和实时控制数据的快速存取；在医疗设备中，可用于高精度数据采集和实时处理；在汽车电子系统中，可支持车载控制系统和信息娱乐系统对高速存储的需求。
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"IS43LD16128D-125BLLI",
"IS43TR16128A-125KBLI",
"IS43LV16128D-125BLLI"
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