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IS43TR16128C-107MBL 发布时间 时间:2025/9/13 12:56:47 查看 阅读:29

IS43TR16128C-107MBL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于异步DRAM系列。该型号属于TSOP(薄型小外形封装)封装类型,具有16位数据宽度和128MB的存储容量。该芯片广泛应用于需要高性能存储的工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统中。

参数

容量:128MB
  数据宽度:16位
  封装类型:TSOP
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:107MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  刷新周期:64ms
  封装引脚数:54-pin

特性

IS43TR16128C-107MBL 的核心特性包括高速访问、低功耗设计和宽温工作范围,适用于各种嵌入式应用环境。其16位的数据宽度允许在一个周期内传输更多数据,从而提高系统性能。该芯片采用CMOS制造工艺,确保了低功耗运行,同时在待机模式下可进一步降低功耗,适用于对功耗敏感的应用场景。
  此外,该DRAM芯片具备自动刷新和自刷新功能,能够在不增加系统负担的情况下保持数据完整性,延长系统的稳定运行时间。其工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),使得它能够适应不同的电源设计需求,提高了设计的灵活性。
  IS43TR16128C-107MBL 还具备高可靠性和抗干扰能力,适用于工业级严苛环境下的应用,如工业控制设备、通信模块和车载系统等。TSOP封装形式有助于提高PCB布局的紧凑性,并改善散热性能。

应用

IS43TR16128C-107MBL 主要应用于需要高性能、低功耗DRAM存储的嵌入式系统和工业设备。常见应用包括网络路由器、交换机、IP摄像机、视频采集系统、工业控制面板、通信基站模块以及便携式电子设备。由于其宽温范围和高稳定性,特别适合用于工业自动化、安防监控和车载信息娱乐系统等要求严苛的环境。

替代型号

IS48C16128A-107BLL, IS42S16128C-107TBL, CY7C1041GN30-10ZSXI, ISSI IS43R16128C-107BLL

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IS43TR16128C-107MBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间195 ps
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)