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IS43TR16128B-15HBL 发布时间 时间:2025/9/1 10:32:43 查看 阅读:8

IS43TR16128B-15HBL 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有低功耗和高性能的特点。该芯片适用于需要快速读写操作的嵌入式系统、网络设备和通信设备等应用场景。

参数

类型:静态RAM(SRAM)
  容量:16Mbit(1M x 16)
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:15ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54-Pin
  接口类型:并行
  最大工作频率:约66MHz

特性

IS43TR16128B-15HBL 采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗和高速存取能力。其异步设计使得芯片在读写操作时不需要时钟信号,提高了系统设计的灵活性。芯片支持低待机电流,非常适合电池供电设备和低功耗应用场景。此外,该芯片具有较高的抗干扰能力,确保在工业级温度范围内稳定运行。
  该SRAM芯片的高速访问时间为15ns,这意味着其读写速度非常快,能够满足高性能系统的实时数据存储需求。其TSOP封装形式不仅减小了PCB布局的空间需求,而且提高了抗电磁干扰(EMI)的能力,适用于紧凑型和高频设计的电路板布局。
  IS43TR16128B-15HBL 还具备宽电压工作范围(2.3V至3.6V),允许其在多种电源条件下稳定运行,从而提高了系统的兼容性和可靠性。

应用

IS43TR16128B-15HBL 广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的设备中,例如:
  - 嵌入式系统中的缓存存储器
  - 网络设备中的数据缓冲
  - 工业控制设备的程序和数据存储
  - 高速通信模块的数据暂存
  - 便携式电子产品中的临时数据存储

替代型号

IS43TR16128B-15HBL的替代型号包括 IS43TR16128A-15HBL 和 CY62167DV30B-15ZSXI,它们具有相似的性能参数和封装形式,适用于相同的应用场景。

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IS43TR16128B-15HBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)