时间:2025/12/28 2:01:17
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1206CG820G500NT是一款由Murata(村田)制造的表面贴装多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件采用标准的1206封装尺寸(3.2mm x 1.6mm),适用于自动化贴片生产工艺。该电容器的标称电容值为82pF,额定电压为50V DC,电容容差为±2%(代号G),介质材料符合C0G(NP0)特性,具有极高的温度稳定性和低损耗特性。C0G材质意味着其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内几乎不随温度变化,其温度系数为0±30ppm/°C,确保了在精密电路中的稳定性。该器件广泛应用于高频、高稳定性要求的电路中,如射频匹配网络、振荡器、滤波器和定时电路等。由于其优异的电气性能和可靠性,1206CG820G500NT常被用于通信设备、工业控制、医疗电子及汽车电子等领域。此外,该产品符合RoHS环保要求,并具备良好的抗湿性和焊接可靠性,适合回流焊工艺。作为一款高性能的无铅多层陶瓷电容,它在需要长期稳定性和低失真的应用中表现出色。
封装尺寸:1206 (3216公制)
电容值:82pF
容差:±2%
额定电压:50V DC
介质类型:C0G (NP0)
温度范围:-55°C 至 +125°C
温度系数:0±30ppm/°C
直流偏压效应:无显著变化
绝缘电阻:≥10000MΩ 或 RxC ≥ 500S(取较大值)
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
产品系列:1206CG
制造商:Murata Manufacturing Co., Ltd.
产品型号:1206CG820G500NT
安装方式:表面贴装(SMD)
层数结构:多层陶瓷结构
端接类型:镍阻挡层 / 锡外涂层(Ni-Sn)
电容稳定性:Class I(C0G)
ESR(等效串联电阻):极低
自谐振频率(SRF):取决于具体布局,典型值在GHz级别
1206CG820G500NT所采用的C0G(也称为NP0)介质材料是Class I类陶瓷电容器中最稳定的类型之一,其最大的优势在于电容值几乎不受温度、电压和时间的影响。这种材料的温度系数为0±30ppm/°C,在整个工作温度范围(-55°C到+125°C)内电容变化极小,能够保证电路参数的高度一致性,特别适用于对频率稳定性要求极高的场景,例如石英晶体振荡器的负载电容、PLL环路滤波器以及RF调谐电路。此外,C0G介质具有极低的介电损耗(通常tanδ < 0.1%),这意味着该电容器在高频下仍能保持高效能量传输,不会因自身发热而导致性能下降或信号失真。
该器件的电容容差仅为±2%(G级),相比常见的±5%或±10%精度更高,有助于提升电路的整体精度和可重复性。在射频应用中,微小的电容偏差可能导致阻抗失配或频率偏移,因此高精度电容对于确保系统性能至关重要。1206封装提供了比更小尺寸(如0603或0402)更大的机械强度和更好的焊接可靠性,同时其体积适中,适合大多数PCB布局需求。尽管1206尺寸相对较大,但在需要手动维修或高可靠性的工业与汽车应用中,这一封装更具优势。
该电容器无压电效应,也不会因机械应力产生噪声,因此非常适合用于低噪声放大器和高保真模拟前端电路。其绝缘电阻极高,漏电流极低,能够在长时间运行中保持电荷稳定,适用于采样保持电路和积分器等精密模拟应用。此外,由于其线性响应特性,不会引入非线性失真,是高质量音频和测量设备中的理想选择。Murata作为全球领先的MLCC制造商,其生产过程严格遵循AEC-Q200等可靠性标准,确保每批产品的质量和一致性。
1206CG820G500NT因其出色的温度稳定性和高精度特性,广泛应用于对电容稳定性要求极高的电子系统中。在射频(RF)电路设计中,它常被用作匹配网络中的串联或并联电容,用于实现天线、功率放大器或滤波器之间的最佳阻抗匹配,从而最大化信号传输效率并减少反射损耗。由于其在宽频带内保持稳定的电容值,该器件也适用于VCO(压控振荡器)、LC谐振回路和SAW/BAW滤波器的调谐电路中,确保频率输出的准确性与长期稳定性。
在精密模拟电路中,该电容器可用于有源滤波器、运算放大器反馈网络以及ADC/DAC的参考电压旁路,帮助抑制高频噪声并维持信号完整性。其低漏电流和高绝缘电阻特性使其适用于采样保持电路和积分电路,避免因电荷泄漏导致的测量误差。在时钟生成电路中,例如与石英晶体配合使用的负载电容,1206CG820G500NT能够精确设定振荡频率,提高系统时序精度,广泛应用于微控制器、FPGA和通信模块中。
此外,该器件还适用于工业自动化设备、测试与测量仪器、医疗成像系统以及汽车电子控制系统(如ADAS传感器模块和车载信息娱乐系统),这些领域均要求元器件具备长期可靠性和环境适应能力。由于其符合RoHS指令且支持无铅焊接工艺,1206CG820G500NT也适用于绿色电子产品制造。在高温或温度剧烈变化的环境中,C0G材质的优势尤为明显,避免了X7R、X5R等高介电常数材料可能出现的容量衰减问题,确保系统在整个生命周期内的性能一致性。
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