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IS43TR16128AL-125KBLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:39:47 查看 阅读:9

IS43TR16128AL-125KBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的一款高速、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于异步SRAM兼容的DRAM(Pseudostatic RAM)类别。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备高性能和低功耗的特性,广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统、通信设备、网络设备和工业控制系统等领域。该芯片的容量为256K x 16位,总容量为4Mbit,采用128引脚薄型小外形封装(TSOP),适用于空间受限的高密度应用。

参数

容量:4Mbit
  组织结构:256K x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:128-TSOP
  时钟频率:无(异步操作)
  数据输入/输出:16位
  封装尺寸:14mm x 20mm
  

特性

IS43TR16128AL-125KBLI 是一款高性能的异步DRAM芯片,具有以下几个显著特性:首先,其访问时间仅为12ns,能够满足高速数据读写的需求,适用于对响应时间要求较高的应用场合。其次,该芯片支持异步操作,不需要外部时钟信号,简化了系统设计和时序控制,提高了系统的灵活性和稳定性。此外,IS43TR16128AL-125KBLI 的工作电压为3.3V,符合现代低功耗电子系统的设计标准,能够在保证性能的同时降低功耗,延长设备的使用寿命。该芯片还具备宽广的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),能够在恶劣的工业环境和高温条件下稳定运行,适用于各种工业控制、通信和网络设备。IS43TR16128AL-125KBLI 采用128-TSOP封装,尺寸小巧,便于在高密度电路板上安装和布局,同时提高了系统的集成度和可靠性。该芯片还支持多种数据宽度配置,提供了16位的数据输入/输出接口,满足不同系统架构的需求。最后,该器件内部集成了刷新电路和地址多路复用器,简化了外部控制电路的设计,降低了系统的复杂性和成本,提高了整体的可维护性和稳定性。
  此外,IS43TR16128AL-125KBLI 还具备良好的兼容性,能够与多种处理器和控制器无缝连接,减少了系统开发的时间和成本。其优异的电气性能和机械稳定性使其成为工业自动化、通信基础设施、车载电子、医疗设备等高可靠性应用的理想选择。

应用

IS43TR16128AL-125KBLI 被广泛应用于需要高速、低功耗和大容量存储的各种电子系统中。典型应用包括工业控制设备、通信模块、网络交换设备、路由器、视频采集和处理系统、嵌入式计算机、测试仪器、汽车电子控制系统等。由于其异步操作特性和高速访问能力,该芯片特别适用于需要快速数据缓冲和临时存储的场合,如数据缓存、帧缓冲、网络数据包存储等。此外,在需要高可靠性和宽温范围的工业和汽车应用中,IS43TR16128AL-125KBLI 也是理想的存储解决方案。

替代型号

IS42S16100A-6T, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V124SA70PFGI

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IS43TR16128AL-125KBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)