型号：TFS130A
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：130V
　　连续漏极电流ID @ 25°C：56A
　　脉冲漏极电流IDM：220A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=10V：约4.5mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：约6.0mΩ
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：约2800pF @ VDS=25V
　　输出电容Coss：约470pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间trr：约36ns
　　最大功耗PD：200W @ TC=25°C
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220FP / I2PAK

TFS130A采用ST先进的SuperMESH?或类似高性能平面工艺技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，从而显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为4.5mΩ左右，即使在大电流负载条件下也能有效控制发热，延长系统寿命。
　　该器件具备出色的动态性能，包括较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗，并提升了转换效率。同时，其栅极电荷Qg较低，意味着驱动电路所需的驱动功率更小，有利于简化驱动设计并降低外围元件成本。
　　TFS130A具有良好的热稳定性与鲁棒性，能够在高达+175°C的结温下安全运行，适用于严苛的工业与车载环境。其封装设计具备优良的散热能力，可通过散热片进一步增强热管理效果，确保长时间高负载工作的可靠性。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，可承受一定程度的电压过冲和电流瞬变，增强了在异常工况下的系统稳健性。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约为36ns），适用于需要续流功能的应用场景，如H桥电机驱动和同步整流电路。
　　此外，TFS130A符合RoHS环保要求，不含铅和其他有害物质，支持绿色电子产品设计。其标准化封装便于安装与替换，兼容现有产线工艺，适合自动化批量生产。综合来看，TFS130A是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热性能有较高要求的现代电力电子系统。

TFS130A广泛用于各类中高功率开关电源系统中，作为主开关管或同步整流管使用，尤其适用于AC-DC适配器、服务器电源和电信电源模块等设备，凭借其低导通电阻和高效率特性，有助于实现更高的能效等级，满足能源之星等节能标准。
　　在DC-DC转换器中，TFS130A常被用于降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）拓扑结构中，承担高速开关任务，其快速开关响应和低栅极驱动需求使其非常适合高频操作，从而减小磁性元件体积，提高功率密度。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机或BLDC（无刷直流电机）的驱动桥臂，提供高效且可靠的电流控制能力，特别适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制模块。
　　此外，TFS130A还可作为电子负载开关或热插拔控制器中的功率开关元件，用于控制电源通断，防止浪涌电流对系统造成损害，保障电路的安全启动与运行。
　　在太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电池管理系统（BMS）中，TFS130A也发挥着重要作用，用于功率切换与能量传递控制。其高耐压能力和稳定的温度特性使其能在复杂电磁环境中长期稳定运行，是现代电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。

STP55NF130
　　IRF130A
　　FQP130A