IS43R86400E-6TLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能、低功耗的DRAM芯片。这款芯片属于高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)类别,采用先进的CMOS技术,适用于需要高速数据存储和访问的电子系统。IS43R86400E-6TLI-TR的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适合在空间受限的应用中使用,并具有良好的热稳定性和电气性能。
类型:DRAM
容量:64Mbit
组织结构:4M x 16
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:54
接口类型:并行
访问时间:5.4ns
最大时钟频率:166MHz
刷新周期:64ms
数据保持电压:1.5V
封装尺寸:18mm x 20mm
IS43R86400E-6TLI-TR是一款高性能的DRAM芯片,具备高速存取能力,访问时间仅为5.4ns,支持166MHz的时钟频率,确保了快速的数据传输。其采用CMOS工艺制造,功耗低,在高性能应用中具有出色的能效表现。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,适应性强,能够兼容多种电源管理系统。其低电压保持模式(数据保持电压为1.5V)进一步降低了待机功耗,适用于电池供电设备。
IS43R86400E-6TLI-TR采用TSOP封装,具有较小的封装尺寸(18mm x 20mm),适合高密度PCB布局。此外,该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,确保在不丢失数据的情况下降低系统功耗。
该DRAM芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级环境,工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣环境下稳定运行。
IS43R86400E-6TLI-TR广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备和消费类电子产品中。例如:
? 工业计算机和数据采集系统
? 视频监控设备和图像处理系统
? 网络路由器和交换机
? 医疗仪器和测试设备
? 高速缓存和缓冲存储器
? 消费电子产品(如智能电视、机顶盒等)
由于其低功耗特性和宽温工作范围,该芯片在便携式设备和工业级应用中表现出色。
IS43R86400E-6TLL-TR, IS43R86400B-6TLI-TR, IS42S86400E-6TLI-TR