时间：2025/8/1 22:55:39
阅读：15
IS43R86400E-6TLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高性能、低功耗的DRAM芯片。这款芯片属于高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）类别，采用先进的CMOS技术，适用于需要高速数据存储和访问的电子系统。IS43R86400E-6TLI-TR的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适合在空间受限的应用中使用，并具有良好的热稳定性和电气性能。
类型：DRAM
容量：64Mbit
组织结构：4M x 16
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
接口类型：并行
访问时间：5.4ns
最大时钟频率：166MHz
刷新周期：64ms
数据保持电压：1.5V
封装尺寸：18mm x 20mm
IS43R86400E-6TLI-TR是一款高性能的DRAM芯片，具备高速存取能力，访问时间仅为5.4ns，支持166MHz的时钟频率，确保了快速的数据传输。其采用CMOS工艺制造，功耗低，在高性能应用中具有出色的能效表现。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，适应性强，能够兼容多种电源管理系统。其低电压保持模式（数据保持电压为1.5V）进一步降低了待机功耗，适用于电池供电设备。
IS43R86400E-6TLI-TR采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸（18mm x 20mm），适合高密度PCB布局。此外，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，确保在不丢失数据的情况下降低系统功耗。
该DRAM芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于工业级环境，工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在恶劣环境下稳定运行。
IS43R86400E-6TLI-TR广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备和消费类电子产品中。例如：
? 工业计算机和数据采集系统
? 视频监控设备和图像处理系统
? 网络路由器和交换机
? 医疗仪器和测试设备
? 高速缓存和缓冲存储器
? 消费电子产品（如智能电视、机顶盒等）
由于其低功耗特性和宽温工作范围，该芯片在便携式设备和工业级应用中表现出色。
IS43R86400E-6TLL-TR, IS43R86400B-6TLI-TR, IS42S86400E-6TLI-TR
