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IS43R86400E-6TLI-TR 发布时间 时间:2025/8/1 22:55:39 查看 阅读:29

IS43R86400E-6TLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能、低功耗的DRAM芯片。这款芯片属于高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)类别,采用先进的CMOS技术,适用于需要高速数据存储和访问的电子系统。IS43R86400E-6TLI-TR的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适合在空间受限的应用中使用,并具有良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型:DRAM
  容量:64Mbit
  组织结构:4M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  接口类型:并行
  访问时间:5.4ns
  最大时钟频率:166MHz
  刷新周期:64ms
  数据保持电压:1.5V
  封装尺寸:18mm x 20mm

特性

IS43R86400E-6TLI-TR是一款高性能的DRAM芯片,具备高速存取能力,访问时间仅为5.4ns,支持166MHz的时钟频率,确保了快速的数据传输。其采用CMOS工艺制造,功耗低,在高性能应用中具有出色的能效表现。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,适应性强,能够兼容多种电源管理系统。其低电压保持模式(数据保持电压为1.5V)进一步降低了待机功耗,适用于电池供电设备。
  IS43R86400E-6TLI-TR采用TSOP封装,具有较小的封装尺寸(18mm x 20mm),适合高密度PCB布局。此外,该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,确保在不丢失数据的情况下降低系统功耗。
  该DRAM芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级环境,工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

IS43R86400E-6TLI-TR广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备和消费类电子产品中。例如:
  ? 工业计算机和数据采集系统
  ? 视频监控设备和图像处理系统
  ? 网络路由器和交换机
  ? 医疗仪器和测试设备
  ? 高速缓存和缓冲存储器
  ? 消费电子产品(如智能电视、机顶盒等)
  由于其低功耗特性和宽温工作范围,该芯片在便携式设备和工业级应用中表现出色。

替代型号

IS43R86400E-6TLL-TR, IS43R86400B-6TLI-TR, IS42S86400E-6TLI-TR

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IS43R86400E-6TLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)
  • 供应商器件封装66-TSOP II