NTGS3136P 时间：2025/6/17 0:07:46 阅读：4

NTGS3136P是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由知名半导体制造商生产。它采用了先进的工艺技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和负载切换应用。该器件在高频工作条件下表现优异，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
　　NTGS3136P通常用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电池保护以及各种消费电子产品的电源管理领域。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：12A
　　导通电阻（典型值）：8mΩ
　　栅极电荷（典型值）：10nC
　　开关时间：开启时间10ns，关断时间15ns
　　结温范围：-55℃至175℃

特性

NTGS3136P的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关性能，支持高频应用，降低电磁干扰。
　　3. 优秀的热稳定性，能够在宽温度范围内保持性能一致性。
　　4. 小型化封装设计，节省PCB空间，便于布局优化。
　　5. 高可靠性，经过严格的质量控制流程，确保长期稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

NTGS3136P广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
　　2. 各种便携式设备的电池管理和保护电路。
　　3. 消费类电子产品中的负载开关和电机驱动。
　　4. 工业自动化设备中的信号传输和功率控制。
　　5. 通信设备中的高效电源解决方案。
　　6. LED驱动电路，提供精确的电流调节和亮度控制。