时间：2025/8/1 23:38:33
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IS43R86400E-5BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件通常用于需要高速数据访问的应用，如网络设备、工业控制、通信设备等。该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗和高性能的特点，支持异步读写操作。
容量：64K x 8
组织结构：64K x 8位
电压：3.3V（通常）
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
封装尺寸：54-TSOP
最大频率：166MHz（约当量）
数据保持电压：2V
最大待机电流：10mA
读取电流：180mA（典型）
IS43R86400E-5BLI-TR 采用高速CMOS工艺制造，具备出色的性能和稳定性。其异步接口设计使其能够适应多种系统架构，适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片具备低待机电流功能，在不进行读写操作时，可显著降低功耗，提高系统的能效。其54-TSOP封装形式适用于空间受限的设计，同时具备良好的热稳定性和机械强度。
此外，该SRAM芯片具备高可靠性，经过严格的工业级温度测试，可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适合用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等环境较为严苛的应用场合。其高速访问时间（5.4ns）和166MHz的等效频率使得该芯片能够满足高速缓存、图像处理和实时控制等应用对数据快速存取的需求。
该芯片的异步控制信号（如CE#、OE#、WE#）使其能够与多种微处理器和控制器兼容，简化了系统设计和集成。同时，其数据保持电压较低（2V），在低电压环境下仍能保持数据不丢失，提高了系统的容错能力。
IS43R86400E-5BLI-TR 广泛应用于需要高速、低功耗存储的系统中，例如工业控制设备、通信模块、网络交换设备、图像处理系统、测试仪器、嵌入式控制系统以及消费类电子产品中的高速缓存单元。其优异的性能和可靠性也使其适用于航空航天、汽车电子等高可靠性要求的领域。
CY62167EVLL-45ZE3, IS62WV5128FBLL-55B, AS7C36408-5.4TQC, IDT71V416S85B
