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IS43R86400E-5BLI-TR 发布时间 时间:2025/8/1 23:38:33 查看 阅读:23

IS43R86400E-5BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件通常用于需要高速数据访问的应用,如网络设备、工业控制、通信设备等。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗和高性能的特点,支持异步读写操作。

参数

容量:64K x 8
  组织结构:64K x 8位
  电压:3.3V(通常)
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
  封装尺寸:54-TSOP
  最大频率:166MHz(约当量)
  数据保持电压:2V
  最大待机电流:10mA
  读取电流:180mA(典型)

特性

IS43R86400E-5BLI-TR 采用高速CMOS工艺制造,具备出色的性能和稳定性。其异步接口设计使其能够适应多种系统架构,适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片具备低待机电流功能,在不进行读写操作时,可显著降低功耗,提高系统的能效。其54-TSOP封装形式适用于空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和机械强度。
  此外,该SRAM芯片具备高可靠性,经过严格的工业级温度测试,可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作,适合用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等环境较为严苛的应用场合。其高速访问时间(5.4ns)和166MHz的等效频率使得该芯片能够满足高速缓存、图像处理和实时控制等应用对数据快速存取的需求。
  该芯片的异步控制信号(如CE#、OE#、WE#)使其能够与多种微处理器和控制器兼容,简化了系统设计和集成。同时,其数据保持电压较低(2V),在低电压环境下仍能保持数据不丢失,提高了系统的容错能力。

应用

IS43R86400E-5BLI-TR 广泛应用于需要高速、低功耗存储的系统中,例如工业控制设备、通信模块、网络交换设备、图像处理系统、测试仪器、嵌入式控制系统以及消费类电子产品中的高速缓存单元。其优异的性能和可靠性也使其适用于航空航天、汽车电子等高可靠性要求的领域。

替代型号

CY62167EVLL-45ZE3, IS62WV5128FBLL-55B, AS7C36408-5.4TQC, IDT71V416S85B

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IS43R86400E-5BLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)