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IS43R86400E-5BL-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:43:53 查看 阅读:34

IS43R86400E-5BL-TR 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高速CMOS技术,具备高性能和低功耗的特点,广泛应用于网络设备、工业控制、通信设备和嵌入式系统等领域。这款SRAM芯片采用54引脚TSOP封装,便于在各种高密度电路板设计中使用。IS43R86400E-5BL-TR支持异步操作,适用于需要高速数据访问但不需要同步时钟控制的应用场景。

参数

存储容量:64K x 8位
  电源电压:3.3V
  访问时间:5ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:异步
  数据总线宽度:8位
  最大工作频率:143MHz(等效于6.9ns周期)
  读取电流:典型值为120mA
  待机电流:最大10mA

特性

IS43R86400E-5BL-TR SRAM芯片具有多项显著的性能优势。首先,其高速访问时间为5ns,能够满足高速数据处理的需求,适用于对响应时间要求较高的系统设计。其次,该芯片采用3.3V电源供电,符合现代低功耗系统的设计趋势,同时具备良好的功耗管理能力,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的使用寿命并降低整体能耗。此外,该SRAM芯片采用54引脚TSOP封装,体积小巧,适合在高密度PCB设计中使用,并具有良好的热稳定性和电气性能。IS43R86400E-5BL-TR还支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保其在恶劣环境下的稳定运行。该芯片的异步接口设计使得其在系统集成过程中更加灵活,无需复杂的时钟同步机制,降低了设计复杂度和开发成本。

应用

IS43R86400E-5BL-TR SRAM芯片主要应用于需要高速数据缓存和临时存储的嵌入式系统中。其典型应用场景包括网络设备中的高速缓存存储器、工业控制器中的临时数据存储、通信设备的缓冲区管理、医疗电子设备中的数据暂存以及消费类电子产品中的图形缓存等。由于其高速访问能力和低功耗特性,该芯片也常用于需要快速数据读写操作的测试设备和自动化控制设备中。此外,该芯片适用于航空航天、汽车电子等对工作温度和可靠性有较高要求的行业,为各种复杂环境下的数据存储和处理提供了可靠的解决方案。

替代型号

IS43R86400B-5BL-TR, CY62148EVLL-45ZSXI, IDT71V016SA-10P, IS62LV256AL-55TLI

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IS43R86400E-5BL-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)