FMV12N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电压和高电流应用。该器件由福斯半导体(Foshan Weikun Semiconductor Co., Ltd.)生产,适用于电源转换、马达控制、DC-DC转换器、开关电源等电子系统。FMV12N50E采用TO-220封装,具有较高的热稳定性和电气性能,适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):500 V
栅源电压(VGS):±30 V
连续漏极电流(ID):12 A(在25°C)
功耗(PD):150 W
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
导通电阻(RDS(on)):0.38 Ω(最大)
栅极电荷(Qg):42 nC
漏源击穿电压(BVDSS):500 V
阈值电压(VGS(th)):2 V至4 V
FMV12N50E具有多项优异特性,适用于高电压和高效率的功率电子应用。其高电压能力(500 V)和连续漏极电流(12 A)使其能够胜任各种高功率需求的电路设计。此外,FMV12N50E的导通电阻较低,最大值为0.38 Ω,这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。
该器件的栅极电荷(Qg)为42 nC,使得其在开关应用中具有较快的开关速度,从而减少开关损耗。此外,FMV12N50E能够在较宽的温度范围内稳定工作(-55°C至+150°C),使其适用于严苛的工业环境。
TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能,还能确保良好的电气隔离,提高了器件的可靠性。FMV12N50E还具备较强的抗过载和短路能力,适合用于对系统稳定性要求较高的场合。
FMV12N50E广泛应用于各种电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、DC-AC逆变器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电池充电器以及工业自动化控制系统。其高电压和大电流特性使其成为高压电源转换应用的理想选择。
在开关电源中,FMV12N50E可用于主开关或同步整流器,以提高电源转换效率;在电机控制应用中,它可用于PWM(脉宽调制)控制,实现电机的高效调速;在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统中,FMV12N50E可作为功率开关元件,确保系统在高电压下的稳定运行。
FQP12N50C, STP12N50, IRFBC40, K2843