CR4N60A4K 时间：2025/8/1 15:37:28 阅读：38

CR4N60A4K是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电路和电源管理系统。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电力电子设备。CR4N60A4K采用先进的制造工艺，确保在高电压和高电流条件下仍能保持稳定性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CR4N60A4K具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于高电压开关电路，如电源适配器和LED驱动器。其次，该器件的低导通电阻确保在导通状态下功耗最小，从而提高整体效率并减少发热。
　　此外，CR4N60A4K具有快速开关能力，能够减少开关损耗，提高系统的工作频率。其先进的硅技术提供了卓越的热稳定性和可靠性，确保在恶劣工作条件下仍能保持性能稳定。
　　该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，并兼容标准的表面贴装工艺，便于在PCB上安装。其高雪崩能量耐受能力也使其适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。

应用

CR4N60A4K广泛应用于多种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制器、电池充电器和DC-DC转换器。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效电源设计的理想选择。
　　在工业自动化领域，CR4N60A4K可用于控制高功率负载，如继电器、电磁阀和电机。在消费电子产品中，该器件常用于电源管理和节能系统，确保设备在高效和安全状态下运行。
　　由于其优异的热性能和可靠性，CR4N60A4K也适用于需要长时间运行的高稳定性应用，如工业控制模块和通信设备的电源系统。