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IS43R32800D-5B 发布时间 时间:2025/12/28 17:59:59 查看 阅读:70

IS43R32800D-5B 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高性能和低功耗特性,广泛用于需要快速数据访问的应用场合。IS43R32800D-5B 采用标准的异步SRAM接口,支持快速读写操作,适用于各种工业、通信和消费类电子产品。

参数

容量:256K x 8
  组织结构:256K地址,每个地址8位数据
  访问时间:5.4 ns(最大)
  工作电压:3.3V(典型值)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装引脚数:54引脚
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大读取电流:120 mA(典型值)
  待机电流:10 mA(最大)
  数据输出类型:三态输出

特性

IS43R32800D-5B SRAM芯片具备多项优良特性,使其在高性能嵌入式系统中表现出色。首先,其高速访问时间为5.4 ns,确保了快速的数据读写能力,适用于需要低延迟的应用场景。
  其次,该芯片支持异步操作,无需时钟信号同步,简化了系统设计并降低了时序复杂度。其3.3V工作电压设计兼容大多数现代微处理器和控制器,同时在功耗方面表现良好,待机电流低至10 mA,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  此外,IS43R32800D-5B采用54引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度电路板布局。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业环境下的稳定运行。
  该SRAM芯片还具备高可靠性和抗干扰能力,采用了先进的CMOS制造工艺,提高了数据存储的稳定性和耐用性。其三态输出结构允许直接连接到总线系统,避免了额外的缓冲电路需求,降低了系统成本和复杂度。

应用

IS43R32800D-5B SRAM芯片因其高性能和低功耗特性,广泛应用于多种电子系统中。常见应用包括网络设备、路由器、交换机、工业控制系统、测试测量仪器、通信基站以及嵌入式控制系统等。
  在网络设备中,IS43R32800D-5B可用于高速缓存,提高数据包处理效率,确保低延迟通信。在工业自动化系统中,该芯片可作为主控制器的高速存储器,用于临时存储程序代码和运行数据。
  此外,该SRAM芯片也适用于高端消费电子产品,如数字电视、机顶盒和视频采集设备,作为帧缓存或高速数据缓冲器。在医疗设备和汽车电子系统中,由于其工业级温度范围和高可靠性,IS43R32800D-5B可作为关键数据存储单元,确保系统稳定运行。

替代型号

IS43R32800D-5B的替代型号包括IS43R32800D-5BL、IS43R32800D-5TL、CY62148EVLL、IDT71V433S、AS7C3256-10TC 和 IS61LV256AL-10T。

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IS43R32800D-5B产品

IS43R32800D-5B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织8M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳144-LFBGA
  • 供应商器件封装144-LFBGA(12x12)