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IS43R16320D-6BI 发布时间 时间:2025/9/1 14:56:57 查看 阅读:10

IS43R16320D-6BI 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片的存储容量为512Mb(兆位),组织结构为x16,即每个地址存储16位数据。该芯片采用了CMOS工艺制造,适用于需要快速数据存取和高带宽的应用场景。IS43R16320D-6BI采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于各种工业和通信设备。

参数

容量:512Mb
  组织结构:x16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:6ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行接口
  最大时钟频率:166MHz
  数据宽度:16位
  刷新周期:64ms

特性

IS43R16320D-6BI 的主要特性之一是其高速访问能力,最大访问时间仅为6ns,能够满足对数据存取速度要求较高的应用需求。该芯片支持异步模式,允许灵活的控制信号配置,便于与多种控制器进行接口。此外,它具有低功耗设计,在保持高性能的同时,有效降低了系统的整体功耗。
  这款DRAM芯片集成了多种先进功能,如自动刷新和自刷新模式,能够有效延长数据的存储时间,同时减少系统对刷新操作的依赖。自动刷新模式通过内部计数器控制刷新操作,而自刷新模式则在系统处于低功耗状态时自动执行刷新操作,从而确保数据的完整性。
  IS43R16320D-6BI 采用TSOP封装,体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。该芯片还具备较强的抗干扰能力,能够在电磁环境复杂的场合中保持稳定的数据传输性能。
  在接口设计方面,该芯片提供标准的并行接口,包括地址线、数据线和控制信号线,便于与各种嵌入式处理器、FPGA和ASIC等设备进行连接。其兼容性强,适用于多种系统架构,能够快速集成到不同的硬件平台中。

应用

IS43R16320D-6BI 主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场景。例如,在通信设备中,该芯片可用于缓存数据包,提高数据传输效率;在图像处理系统中,它可以用于存储和处理图像帧数据,提升图像处理性能。此外,该芯片还广泛应用于工业自动化设备、测试仪器、医疗设备和消费电子产品中,作为临时数据存储器使用。
  由于其高速和低功耗特性,IS43R16320D-6BI 也常用于嵌入式系统的内存扩展,尤其是在需要较高带宽和较低延迟的场合。例如,在视频监控设备中,该芯片可用于存储视频流数据,确保视频数据的实时处理和传输。在工业控制系统中,它可以用于存储实时采集的数据,提高系统的响应速度和稳定性。
  该芯片的工业级温度范围和抗干扰能力使其适用于户外设备和工业现场环境。例如,在智能交通系统中,IS43R16320D-6BI 可以用于存储和处理交通信号数据,提高交通管理系统的智能化水平。此外,在工业机器人和自动化控制设备中,该芯片也可用于存储程序代码和运行时数据,提升设备的运行效率和可靠性。

替代型号

IS42S16320B-6TL, IS43R16256B-6BL

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IS43R16320D-6BI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)