时间：2025/9/1 9:59:37
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IS43R16160D-5BL是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗、高速度和高可靠性等特点，广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等领域。IS43R16160D-5BL采用54引脚TSOP封装，具有256Kbit的存储容量，组织方式为16位x16K字。
容量：256Kbit
组织方式：16位 x 16K字
工作电压：3.3V
访问时间：5ns（最大）
封装类型：54引脚TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行异步接口
最大工作频率：166MHz
功耗：典型值为120mA（工作模式）
待机电流：小于10μA
数据保持电压：2.0V至3.6V
IS43R16160D-5BL具有多项高性能和可靠性特性。其高速访问时间为5ns，能够满足高速缓存、实时系统和数据缓冲等应用对数据存取速度的严格要求。该芯片支持166MHz的异步操作，适用于需要快速数据访问的系统设计。CMOS工艺使其在高速运行的同时保持低功耗，特别适合对功耗敏感的应用环境。
该芯片的电源电压为3.3V，与现代低电压微处理器和控制器兼容，降低了系统的整体功耗，并减少了对复杂电源管理的需求。其待机电流极低（小于10μA），有助于延长电池供电设备的工作时间。
IS43R16160D-5BL的封装为54引脚TSOP，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性和机械可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业环境下的严苛条件。此外，该芯片支持数据保持电压低至2.0V，增强了在电源波动或低电量情况下的数据安全性。
在接口方面，该SRAM采用并行异步接口，兼容多种主控器的总线协议，便于集成到现有的嵌入式系统和通信设备中。其高可靠性设计确保了在长时间运行和恶劣环境下的稳定性能。
IS43R16160D-5BL SRAM芯片适用于多种高性能和低功耗要求的应用场景。它常用于嵌入式系统的高速缓存或数据缓冲，如工业控制设备、网络交换设备、路由器和通信模块。此外，该芯片也适用于需要快速数据存取的医疗设备、测试仪器和智能仪表等产品。由于其低功耗和宽工作温度范围，IS43R16160D-5BL也非常适合电池供电设备和户外环境中的电子系统应用。
IS42S16160D-5BL, CY62167DV30, IDT71V124SA, AS6C6216
