DMPH4013SK3Q-13 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于多种电源管理应用。其封装形式为 SO-8,适用于表面贴装技术(SMT),并且在各种工业和消费类电子设备中表现优异。
这款 MOSFET 在设计上优化了热性能和电气性能,使其能够在较高的电流负载下稳定工作,并且能够有效降低功耗。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关等领域。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:2.9A
导通电阻:65mΩ
栅极电荷:12nC
开关速度:快速
封装:SO-8
DMPH4013SK3Q-13 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力,能够支持高达 2.9A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频应用。
4. 小巧的 SO-8 封装,便于在空间受限的设计中使用。
5. 高可靠性,在恶劣的工作环境下仍能保持稳定的性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
DMPH4013SK3Q-13 主要应用于以下领域:
1. 各种 DC-DC 转换器,包括降压和升压转换器。
2. 电机驱动电路,如小型直流电机或步进电机控制。
3. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的信号调节和功率传输。
6. 消费类电子产品中的电池充电管理和电源分配。
DMP2009UFG-7,
DMP2009UFCE-7,
DMP2009UFDE-7