IS43LR32640A-5BLI-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能、低功耗的伪静态随机存取存储器(PSRAM)芯片。该器件结合了DRAM的高密度和SRAM的简单接口,适用于需要较大内存容量但对功耗敏感的应用场景。IS43LR32640A-5BLI-TR 提供 32Mbit 的存储容量,采用 54-TFBGA 封装,适用于便携式电子产品、工业控制设备和通信模块等。
容量:32Mbit
组织方式:x32
封装:54-TFBGA
工作电压:2.3V - 3.6V
最大访问时间:5.4ns
最大工作频率:166MHz
温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:异步
功耗:典型工作电流约100mA
IS43LR32640A-5BLI-TR 具备多项高性能特性,使其在多种应用中表现出色。该芯片采用异步接口设计,简化了与主控器的连接,降低了系统设计复杂度。其低电压工作范围(2.3V 至 3.6V)提高了电源兼容性,适合多种电源管理方案。此外,该芯片支持自动省电模式,在未被访问时可自动进入低功耗状态,显著延长电池寿命。
该器件的访问时间为 5.4ns,最高工作频率可达 166MHz,满足高速数据存取需求。其封装形式为 54-TFBGA,体积小巧,便于在空间受限的设备中使用。芯片还具备良好的温度适应性,可在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内稳定工作,适用于严苛环境下的工业控制系统和车载设备。
IS43LR32640A-5BLI-TR 的设计考虑了长期稳定性和数据保持能力,内置刷新机制确保数据在无需外部刷新控制的情况下保持完整性。这种伪静态存储器结构既提供了接近 SRAM 的易用性,又具备接近 DRAM 的高容量,是一种理想的中等容量存储解决方案。
IS43LR32640A-5BLI-TR 主要应用于需要高容量、低功耗和小型封装的嵌入式系统中。典型应用包括移动电话、PDA、便携式媒体播放器、打印机缓存、工业控制器、网络设备和智能卡终端等。其高速存取和低功耗特性使其非常适合电池供电设备,同时其工业级温度范围也支持其在户外设备和车载系统中的使用。
IS43LR32512A-5BLI-TR, IS43LR16256A-5BLI-TR